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非易失性存儲(chǔ)器
非易失性存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器取得突破，率先在業(yè)界推出串行頁(yè)EEPROM
- 依托在串行EEPROM技術(shù)領(lǐng)域的積累和沉淀，意法半導(dǎo)體率先業(yè)界推出了串行頁(yè)EEPROM （Serial Page EEPROM）。這款全新類別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁(yè)可擦除存儲(chǔ)器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨(dú)步業(yè)界，前所未有。意法半導(dǎo)體新的串行頁(yè)EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候增加16Mbit 和 8Mbit 產(chǎn)品。這個(gè)創(chuàng)新架構(gòu)讓設(shè)計(jì)人員能夠在同一存儲(chǔ)器上管理固件和靈活存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，這種組合在以前是沒(méi)有的。更高的存儲(chǔ)器集成度可以減少終端產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 非易失性存儲(chǔ)器
用于系統(tǒng)級(jí)芯片的納米晶非易失性存儲(chǔ)器
- 基于不斷發(fā)展的硅技術(shù)的集成電路使得集成了若干模塊的復(fù)雜SoC的制造得以實(shí)現(xiàn)。最早的SoC是微控制器，其中包括...
- 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)級(jí)芯片 納米晶 非易失性存儲(chǔ)器
非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
- 隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對(duì)修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來(lái)越高。從存儲(chǔ)器角度看，這預(yù)示著可能需要用性能更高、合格檢測(cè)更快的先進(jìn)產(chǎn)品更換現(xiàn)有產(chǎn)品。新一代非易失性
- 關(guān)鍵字： 非易失性存儲(chǔ)器
非易失性存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
- 隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對(duì)修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來(lái)越高。從存儲(chǔ)器角度看，這預(yù)示著可能需要用性能更高、合格檢測(cè)更快的先進(jìn)產(chǎn)品更換現(xiàn)有產(chǎn)品。新一代非易失性
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非易失性存儲(chǔ)器FeRAM、MRAM和OUM
- 本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯?chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易失存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。 當(dāng)前應(yīng)用于存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： FeRAM MRAM OUM 非易失性存儲(chǔ)器
主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)
- 閃存幾乎無(wú)處不在，特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不...
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND NOR 非易失性存儲(chǔ)器
非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及其應(yīng)用
- 隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對(duì)修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來(lái)越高。從存儲(chǔ)器角度看，這預(yù)示著可能需要用性能更高、合格檢測(cè)更快的先進(jìn)產(chǎn)品更換現(xiàn)有產(chǎn)品。新一代非易失性
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非易失性存儲(chǔ)器的未來(lái)
- 在“VLSI Symposium on Technology”首日舉行的自由發(fā)表會(huì)“Will Emerging Non-Volatile Memories Finally Emerge?”(新型非易失性存儲(chǔ)器終會(huì)實(shí)現(xiàn)嗎?)上，東芝、韓國(guó)三星電子、韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)、美國(guó)美光科技(Micron Technology)以及臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)等大型半導(dǎo)體廠商的負(fù)責(zé)人紛紛登臺(tái)，對(duì)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的未來(lái)進(jìn)行了展望。
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世界黃金協(xié)會(huì)探討黃金在電子領(lǐng)域的應(yīng)用
- 世界黃金協(xié)會(huì)(WGC)日前出版了一期《黃金資訊》專刊，著重論述黃金在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用。這期專刊的內(nèi)容包括對(duì)鍵合金線、電鍍等當(dāng)前應(yīng)用技術(shù)的探討，以及黃金在高端電子領(lǐng)域的一些新興應(yīng)用。這些應(yīng)用包括：使用黃金納米粒子來(lái)提高閃存設(shè)備容量，以及低溫金墨印刷應(yīng)用。這期?？墓└逭甙▉?lái)自領(lǐng)先工業(yè)和學(xué)術(shù)中心的研究人員。請(qǐng)鍵入文字或網(wǎng)站地址，或者上傳文檔。 世界黃金協(xié)會(huì)工業(yè)總監(jiān)兼《黃金資訊》編輯理查德·霍利迪博士(Richard Holliday)表示：“這期?？癸@了電子行業(yè)對(duì)于黃金
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非易失性存儲(chǔ)器的可配置性
- 隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對(duì)修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來(lái)越高。從存儲(chǔ)器角度看，這預(yù)示著可能需要用性能更高、合格檢測(cè)更快的先進(jìn)產(chǎn)品更換現(xiàn)有產(chǎn)品。新一代非易失性
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Ramtron推出32Kb器件擴(kuò)展F-RAM串口存儲(chǔ)器
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速讀/寫性能、低電壓運(yùn)行，以及出色的數(shù)據(jù)保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲(chǔ)器，工作電壓為2.7V至3.6V，采用8腳SOIC封裝，使用二線制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪問(wèn)、無(wú)延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無(wú)限的讀/寫次數(shù) (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM 非易失性存儲(chǔ)器 NoDelay SOIC
PSoC的動(dòng)態(tài)配置能力及其實(shí)現(xiàn)方法
- 摘要：首先闡述Cypress公司的可編程片上系統(tǒng)(PSoC)的動(dòng)態(tài)配置能力及其實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)，概要地列出幾種對(duì)PSoC微控制器在系統(tǒng)編程（ISP）的方法；在此基礎(chǔ)上分析CY8C26443-24PI通過(guò)。 關(guān)鍵詞：可編程片上系統(tǒng) 在系統(tǒng)編程 閃速存儲(chǔ)器 非易失性存儲(chǔ)器 嵌入式微控制器 引言 隨著集成電路應(yīng)用的飛速發(fā)展，片上系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)變的越來(lái)越復(fù)雜，這對(duì)嵌入式微控制器（Embedded MCU）的性能提出了更高的要求。和目前的16位甚至32位的微控制器相比，8位微
- 關(guān)鍵字： 可編程片上系統(tǒng) 在系統(tǒng)編程 閃速存儲(chǔ)器 非易失性存儲(chǔ)器 嵌入式微控制器 MCU和嵌入式微處理器
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非易失性存儲(chǔ)器介紹
非易失性存儲(chǔ)器是斷電后仍然能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，這也是與易失性存儲(chǔ)器最大的區(qū)別。具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)?！ ⌒滦鸵资源鎯?chǔ)器分別為1.鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）2.磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）3.相變存儲(chǔ)器（OUM）?！ eRAM、MRAM和OUM這三種存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器相比有很多突出的優(yōu)點(diǎn)，其應(yīng)用遠(yuǎn)景十分誘人。近年來(lái)，人們對(duì)它們的研究己取得了可喜的進(jìn)展，尤其是FeRAM [ 查看詳細(xì) ]
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