非易失性狀態(tài)保存器 文章 進入非易失性狀態(tài)保存器技術(shù)社區(qū)
RAMTRON擴展其非易失性狀態(tài)保存器系列功能
- 非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布擴展其非易失性狀態(tài)保存器系列,推出4位狀態(tài)保存器,以4位 F-RAM技術(shù)為基礎(chǔ),無需耗電即可保存邏輯狀態(tài),并在上電時自動恢復輸出。任何狀態(tài)改變均會自動記錄在非易失性的鐵電鎖存內(nèi),這是因為F-RAM存儲器技術(shù)具備獨特的高速寫入能力和低功耗特性,以及極高的耐用性。 FM111x 4位狀態(tài)保存器目前有三款產(chǎn)品:即工作電壓為5V的FM1110;以及工作電壓為3V的FM1
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非易失性狀態(tài)保存器介紹
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