非易失性鐵電存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入非易失性鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)28腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗特點(diǎn)。FM28V020可用于工業(yè)控制、
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非易失性鐵電存儲(chǔ)器介紹
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
目錄
簡(jiǎn)介
FRAM技術(shù)
鐵電應(yīng)用
1. 數(shù)據(jù)采集與記錄
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