頂部冷卻封裝 文章 進入頂部冷卻封裝技術(shù)社區(qū)
英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設(shè)計，并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電、無刷直流驅(qū)動器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。SSO10T TSC的占板面積為5
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率MOSFET SSO10T TSC 頂部冷卻封裝
恩智浦推出新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)
- ● 全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無線單元，部署5G基站更快、更輕松● 簡化設(shè)計和制造，同時保證性能 荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng)新封裝技術(shù)有助于為5G基礎(chǔ)設(shè)施打造更輕薄的無線產(chǎn)品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經(jīng)濟性，同時能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片
- 關(guān)鍵字： 恩智浦 射頻功率器件 頂部冷卻封裝 5G無線產(chǎn)品
英飛凌適合高功率應(yīng)用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
- 【2023年4月13日，德國慕尼黑訊】追求高效率的高功率應(yīng)用持續(xù)向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展，也為電動汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了永續(xù)價值。為了應(yīng)對相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。這項舉措不僅進一步鞏固了英飛凌將此標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設(shè)計的目標(biāo)，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優(yōu)勢，幫助他們在市場中創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品，并
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 QDPAK DDPAK 頂部冷卻封裝 JEDEC
| 共3條 1/1 1 |
頂部冷卻封裝介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條頂部冷卻封裝!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對頂部冷卻封裝的理解，并與今后在此搜索頂部冷卻封裝的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對頂部冷卻封裝的理解，并與今后在此搜索頂部冷卻封裝的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473