為了滿足現(xiàn)今和新興點火系統(tǒng)對排放和高燃油效率的嚴苛要求，汽車設計人員需要更高性能的點火線圈驅動器技術。為幫助設計人員滿足這些要求，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出了在較小的占位面積下具有更低功耗的最新一代點火IGBT器件。EcoSPARK? 2、FGD3040G2和FDG3440G2點火線圈驅動器可將VSAT降低多達20%，而不會顯著降低自箝位感性負載開關(Self Clamping Inductive Switching, SCIS) 的能量。這項優(yōu)化特性減低了功耗和
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飛兆 火線圈 驅動器
全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 在中國主要的電子設計媒體《電子產(chǎn)品世界》雜志主辦的電源技術及產(chǎn)品獎中，贏得年度創(chuàng)新產(chǎn)品獎。
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飛兆 電源 FL7701
隨著技術的發(fā)展，消費者越來越多地利用便攜設備處理業(yè)務和私人事務。由于這些便攜設備中構建了眾多的基礎架構系統(tǒng)，擁有能夠快速解決系統(tǒng)鎖死的簡單方案是至關重要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)新近擴展重啟定時器產(chǎn)品系列，能夠為便攜設備鎖死問題提供更好的解決方案。
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飛兆 器件 重啟定時器
便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節(jié)省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應這一趨勢，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
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飛兆 MOSFET P溝道
隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設計人員應對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
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飛兆 MOSFET FDPC8011S N溝道
太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)以及馬達驅動等大功率工業(yè)應用需要能夠處理690VAC以上電網(wǎng)電壓和高于1000 VDC恒定直流電壓的柵極驅動光耦合器。為了達到這個目標，爬電距離和間隙距離至少要達到10mm。同樣地，惡劣環(huán)境逆變器(Harsh Environment Inverter, HEI)等應用在690VAC電網(wǎng)條件下甚至要求更大的爬電距離和間隙距離。為了幫助設計人員應對這一挑戰(zhàn)，飛兆半導體開發(fā)了一款先進的2.5A輸出電流柵極驅動光耦合器產(chǎn)品FOD8320。
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飛兆 封裝 FOD8320
在美國地區(qū)法院陪審團裁定關于Power Integrations侵犯飛兆半導體有關初級端調節(jié)技術的美國專利的指控成立后數(shù)天，全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor，簡稱“飛兆半導體”) 在美國時間5月1 日提出新的針對Power Integrations公司的美國專利侵權訴訟。
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飛兆 半導體
在現(xiàn)今的汽車應用中，設計人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負載，這類應用包括：白熾燈、電機控制和加熱器件等?，F(xiàn)在要實現(xiàn)這一目的，設計人員不得不依賴分立式或機電式解決方案，或是受制于市場上數(shù)量有限的解決方案。
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飛兆 MOSFET F085A
飛兆半導體周五宣布，一個聯(lián)邦陪審團裁定包爾英特侵犯了其一項美國專利，而飛兆半導體則侵犯了包爾英特的兩項專利權。
美國特拉華州地方法院的聯(lián)邦陪審團裁定包爾英特的LinkSwitch II和LinkSwitch-CV系列產(chǎn)品侵犯了專利號為7259972的專利權，而飛兆的相關控訴都屬實;同時飛兆的脈沖寬度調制(PWM)控制器也侵犯了包爾英特的兩項專利權，但有關包爾英特指控的另外兩項專利侵犯并不屬實。
飛兆半導體表示已經(jīng)引進了下一代技術來代替PWM控制器，對于那些與PWM技術相關的產(chǎn)品，公司也會與
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飛兆 PWM
全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布榮獲王氏港建科技有限公司(WKK Technology Limited, WKKT) 頒發(fā)供應商獎。王氏港建科技是總部位于香港的全球性電子制造服務(EMS)企業(yè)，而飛兆半導體一直為該公司提供品種繁多的產(chǎn)品。這個獎項是對飛兆半導體包括在交付時間表、客戶服務和設計支持方面等各項出色服務的認可。
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飛兆 半導體
在能源效率標準和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設計人員需要有助于縮減其應用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業(yè)界最佳功率密度和低傳導損耗，能夠滿足這些需求。
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飛兆 線路板 FDMC8010
新能源標準以及針對刀片式服務器、高性能筆記本電腦、游戲主機和負載點(point-of-load)模塊的新系統(tǒng)規(guī)范，正在推動業(yè)界對更高效率、更大電流、更高開關頻率以及更大功率密度的需求。為了配合行業(yè)發(fā)展趨勢，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊(MCM)系列。
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飛兆 芯片 FDMF68xx
全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出帶有立體聲Class-G耳機放大器和Class-D揚聲器放大器的FAB2210音頻子系統(tǒng)，助力智能手機和便攜媒體播放器等移動產(chǎn)品的設計人員實現(xiàn)更好音質。
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飛兆 揚聲器 FAB2210
消費者對響亮清晰的揚聲器音頻的要求，推動了對于更長電池使用時間和高效率的需求，這成為設計人員在便攜產(chǎn)品設計中實現(xiàn)“讓小型揚聲器更響亮清晰”的目標時所面對的兩項挑戰(zhàn)。
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飛兆 音頻放大器 FAB3103
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術達成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
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飛兆 英飛凌 MOSFET
飛兆介紹
Fairchild Semiconductor is a leading global provider of semiconductor technology that powers the products we use and makes them more energy efficient. Fairchild continues to build on its rich history [
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