驍龍xr2 gen 2 文章 進(jìn)入驍龍xr2 gen 2技術(shù)社區(qū)
邊緣環(huán)境和Gen AI將共同推動2023下半年中國HCI和SDS市場增長
- IDC在關(guān)于數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施的預(yù)測中指出，隨著全球企業(yè)更多地實(shí)施高性能的、數(shù)據(jù)密集型的工作負(fù)載，以及對現(xiàn)有的應(yīng)用進(jìn)行現(xiàn)代化改造，將更大程度地利用云原生架構(gòu)和微服務(wù)，導(dǎo)致數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施環(huán)境更加復(fù)雜，同時政府的政策指導(dǎo)和業(yè)務(wù)發(fā)展的壓力依舊推動垂直行業(yè)繼續(xù)采購SDS&HCI產(chǎn)品，從而推動市場增長。IDC近日發(fā)布了《中國軟件定義存儲 (SDS)及超融合存儲系統(tǒng) (HCI)市場季度跟蹤報(bào)告，2023年第二季度》，認(rèn)為最終用戶市場對SDS&HCI系統(tǒng)的需求仍將推動中國企業(yè)級存儲市場的增長，但過往疫情的影響讓
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最強(qiáng)安卓芯片大曝光：驍龍8 Gen 3年底上市，小米14可能首發(fā)
- 今年要說移動領(lǐng)域最令人矚目的芯片，除了蘋果即將發(fā)布的A17以外，就算是高通的新一代旗艦芯片了。高通預(yù)計(jì)將在今年晚些時候的驍龍峰會上推出其最新的移動芯片組，如果不出意外的話也就是驍龍8 Gen 3了。對于這款芯片，其實(shí)陸陸續(xù)續(xù)已經(jīng)有不少信息了，而我們也簡單匯總了一下，包括它的發(fā)布日期、規(guī)格、性能以及首發(fā)機(jī)型。在發(fā)布日期方面，按照過去的傳統(tǒng)，高通會在年底11月召開年度驍龍峰會，屆時應(yīng)該會發(fā)布驍龍8 Gen 3這款芯片。一般來說，高通會在11月發(fā)布，然后12月正式上市。不過有一些消息稱高通有可能會提前發(fā)布這款旗
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研華工業(yè)存儲SQFlash 730系列:高性能&低功耗 PCIe Gen.4 SSD
- 研華近期推出工業(yè)級PCIe4.0新品”SQFlash 730系列”，產(chǎn)品采用高性能主控IC芯片，支持NVMe1.4協(xié)議，提供工業(yè)級寬溫解決方案，可廣泛應(yīng)用于惡劣環(huán)境中。SQFlash 730系列擁有工業(yè)級的穩(wěn)定性和可靠性，為工業(yè)應(yīng)用提供了保障。高性能讀取/寫入來自StorageNewsletter的一篇報(bào)導(dǎo)，NVMe整體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將從2020年的446億美元增長到2025年的1635億美元。在HPC存儲行業(yè)，PCIe Gen.4規(guī)格預(yù)計(jì)將在2023年達(dá)到72%。隨著對硬件設(shè)備和數(shù)據(jù)流的需求增加，需要高性
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GEEKBENCH:驍龍8 Gen 3比蘋果iPhone芯片要優(yōu)秀得多
- 最近，隨著新處理器的發(fā)布，手機(jī)行業(yè)正變得越來越熱門，而高通的 Snapdragon 系列一直處于競爭的前沿。Snapdragon 8 Gen 2 是高端智能手機(jī)的熱門選擇，但與蘋果的 A 系列芯片相比，性能略遜一籌。不過，高通旨在通過即將發(fā)布的 Snapdragon 8 Gen 3 來填補(bǔ)這一差距，據(jù)傳它將配備 Arm Cortex-X4 核心、獨(dú)特的 1+5+2 核心配置以及 TSMC 的 N4P 工藝節(jié)點(diǎn)。高通 Snapdragon 8 Gen 3 在 Geekbench 中超越了蘋果 A16 Bio
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高通：搭載衛(wèi)星連接的驍龍 8 Gen 2 安卓手機(jī)今年下半年推出，首先支持應(yīng)急消息
- IT之家 1 月 6 日消息，高通公司今天宣布計(jì)劃將基于衛(wèi)星的連接引入下一代安卓智能手機(jī)，為三星和谷歌等智能手機(jī)制造商提供一種通過衛(wèi)星功能與蘋果及 iPhone 14 機(jī)型 SOS 緊急求救競爭的方式。Snapdragon Satellite 是衛(wèi)星公司 Iridium 提供的基于衛(wèi)星的雙向消息傳遞解決方案，Snapdragon Satellite 提供從南極點(diǎn)到北極點(diǎn)的真正的全球覆蓋。高通表示，驍龍 8 Gen 2 移動平臺將內(nèi)置對使用衛(wèi)星連接的消息傳遞支持，使用該技術(shù)的智
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三星將代工部分高通驍龍8 Gen 2用于Galaxy S23系列
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，高通新一代旗艦移動平臺驍龍8 Gen 2，已在本月正式推出，多款搭載這一移動平臺的智能手機(jī)，隨后也將陸續(xù)推出。對于高通新推出的驍龍8 Gen 2移動平臺，有報(bào)道稱三星電子旗下的代工業(yè)務(wù)部門，將代工一部分，用于三星電子的Galaxy S23系列智能手機(jī)。從外媒的報(bào)道來看，高通驍龍8 Gen 2移動平臺，將由臺積電和三星電子兩家晶圓代工商代工，其中臺積電代工常規(guī)版本，三星電子代工的則是超頻版本。外媒在報(bào)道中還披露，爆料人士稱三星電子為高通代工的驍龍8 Gen 2移動平臺，將采用4nm LPE制
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高通推出驍龍XR2+平臺,支持下一代MR和VR終端
- 要點(diǎn)：●? ?高通技術(shù)公司最新旗艦擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)（XR）平臺——第一代驍龍?XR2+實(shí)現(xiàn)50%的續(xù)航提升和30%的散熱提升，從而支持在更小更輕薄的設(shè)備外形中賦能更豐富的沉浸式元宇宙體驗(yàn)?！? ?該平臺提供市場需要的技術(shù)創(chuàng)新，并進(jìn)一步擴(kuò)展了公司驍龍XR專用平臺產(chǎn)品組合。目前，驍龍XR平臺已賦能全球超過60款XR終端?！? ?多家OEM廠商已計(jì)劃推出搭載驍龍XR2+平臺的商用終端，預(yù)計(jì)將于2022年底面市。高通技術(shù)公司宣布推出最新旗艦XR平臺——第一代驍龍
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金士頓推出DataTraveler Max閃存盤新品
- 中關(guān)村在線消息，金士頓于近日發(fā)布了Type-A和Type-C接口的DataTraveler Max系列高性能閃存盤新品。其特點(diǎn)是采用了USB 3.2 Gen 2方案，具有高達(dá)1000 MB/s的讀取、以及900 MB/s的寫入速度。此外該系列閃存盤采用了帶橫紋的伸縮頭設(shè)計(jì)，能夠在收納時更好地保護(hù)USB接頭。金士頓表示，DataTraveler Max系列高性能閃存盤設(shè)計(jì)之初就充分考慮到了便攜性和便利性，黑/紅外殼可一眼分辨其接口，并帶有掛繩孔和LED狀態(tài)指示燈。容量方面，DataTraveler Max系
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高通推全新S8+ Gen 1、S7 Gen1平臺
- 高通技術(shù)公司宣布推出為新一代頂級和高階Android智能型手機(jī)打造的最新行動平臺產(chǎn)品組合Snapdragon 8+ Gen 1和Snapdragon 7 Gen 1。高通最新的旗艦平臺Snapdragon 8+是一款強(qiáng)大的頂級平臺，帶來增強(qiáng)的功效和效能，以最終提升涵蓋所有裝置上的體驗(yàn)。Snapdragon 7提供一系列高階、眾所期望的功能和技術(shù)，并且讓全世界更多人都能享受到這些體驗(yàn)。根據(jù)Counterpoint Research、IDC和StrategyAnalytics的最新調(diào)查結(jié)果顯示，高通技術(shù)公司在
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首款搭載驍龍8 Gen 1+的手機(jī)將于6月底上市
- 4月8日消息，高通驍龍8 Gen 1+ 芯片組可能比預(yù)期來得要更快。據(jù)gsmarena報(bào)道，供應(yīng)鏈中的一位消息人士透露，搭載 Android 旗艦芯片驍龍8 Gen 1+ 的手機(jī)最早將于6月上市，最遲7月上市。搭載驍龍8 Gen 1+ 的首批設(shè)備將在中國推出，但目前尚未透露名稱。不過，傳聞一加10 Ultra 將使用該處理器。此前消息稱，驍龍8 Gen 1+將基于臺積電的4納米半導(dǎo)體制造工藝，可能與驍龍8 Gen 1非常相似，但頻率可能略高。而據(jù)韓國科技論壇 Meeco 的可靠爆料人，引述消息人士說法稱，
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TE Connectivity推出新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器 支持16 Gbps高速數(shù)據(jù)傳輸
- 全球高速計(jì)算與網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用領(lǐng)域創(chuàng)新連接方案領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)今日宣布推出新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器。該款連接器符合PCI-SIG CEM 4.0行業(yè)規(guī)范，支持16 Gbps高帶寬，可用于下一代Intel和AMD平臺。TE新型PCIe Gen 4卡邊緣連接器采用1.00mm間距，兼容各代PCI Express信號設(shè)計(jì)，同時支持16 Gbps（PCIe Gen 4）、8.0 Gbps（PCIe Gen 3）、5.0 Gbps（PCIe Gen 2）和2.5 Gbps（PCI
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業(yè)界首家性能和功耗領(lǐng)先的PCI Express Gen 5時鐘和緩沖器
- 中國，北京- 2019年4月17日- Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）日前推出了滿足最新一代PCI Express?（PCIe?）5.0規(guī)范的完整時鐘解決方案組合，能夠提供同類最佳的抖動性能，且具有顯著的設(shè)計(jì)余量。Si5332任意頻率時鐘系列產(chǎn)品可生成抖動性能達(dá)140fs RMS的PCIe Gen 5參考時鐘，優(yōu)化了PCIe SerDes性能，且同時滿足Gen 5規(guī)范并有余量。Si5332時鐘能夠生成PCIe和通用頻率的任意組合，可在各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)時鐘樹整合。Silic
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IDT推出全球最高性能Gen 3 PCI Express交換器件
- 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 發(fā)布全球最高性能的 Gen 3 PCI Ex-press (PCIe) 交換芯片系列，用于固態(tài)硬盤 (SSD) 存儲陣列和云計(jì)算應(yīng)用。新的交換芯片系列以占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的 IDT 高性能、可升級的 PCIe Gen 1 和 Gen 2 交換芯片為基礎(chǔ)，支持多達(dá) 64 通道和 16 端口的容量，并支持更多協(xié)議，以改善效率和降
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IDT推出Gen 3 PCI Express交換器件
- 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT公司 (Integrated Device Technology) 發(fā)布全球最高性能的Gen 3 PCI Express (PCIe) 交換芯片系列，用于固態(tài)硬盤(SSD) 存儲陣列和云計(jì)算應(yīng)用。新的交換芯片系列以占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位的 IDT 高性能、可升級的 PCIe Gen 1 和 Gen 2 交換芯片為基礎(chǔ)，支持多達(dá)64 通道和16 端口的容量，并支持更多協(xié)議，以改善效率和降低功耗。
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驍龍xr2 gen 2介紹
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