高壓驅(qū)動(dòng)芯片 文章 進(jìn)入高壓驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)社區(qū)

英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動(dòng)芯片的三個(gè)優(yōu)勢(shì)

• 現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動(dòng)器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會(huì)從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時(shí)）變化到低于地的負(fù)壓（S1關(guān)閉時(shí)）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負(fù)載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負(fù)電壓。電平轉(zhuǎn)移高壓驅(qū)動(dòng)芯片有兩個(gè)主要組成部分：1 電平轉(zhuǎn)移電路，其作用是把以COM腳為參考的輸入邏輯信號(hào)轉(zhuǎn)換成以VS腳為參考的輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。2 自舉二極管，對(duì)浮地端的供電電容進(jìn)行充電。對(duì)于這兩部分電路，英飛凌的SOI驅(qū)動(dòng)芯
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