<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>

<label id="pryje"></label>

速來搶位｜11.14上海｜NI全聯結峰會2024 北京｜上海｜來與TI一起探索嵌入式未來來這里瞧瞧NXP技術培訓視頻吧>> 來學習NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

我要投稿 | 手機版

首頁　資訊　商機　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> 高壓ldmos

高壓ldmos 文章進入高壓ldmos技術社區(qū)

新型抗總劑量輻照高壓LDMOS結構

　　馮垚榮（電子科技大學，四川成都 610054）　　摘?要：通過分析低壓MOS中存在的漏電路徑，針對高壓LDMOS面積大，最小寬長比有限制的特點，提出了一種更加適用于高壓LDMOS的新型抗總劑量輻照結構。器件仿真結果顯示，新結構在實現500 krad(Si)的抗輻照能力，并且新結構不會增加面積消耗，與現有工藝完全兼容。　　關鍵詞：總劑量效應；高壓LDMOS；抗輻照加固；輻射致漏電路徑　　0 引言　　LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)相比普通的MOSFET具有高耐壓、高增益等優(yōu)點，被廣泛應用于各種電
關鍵字： 201911 總劑量效應高壓LDMOS 抗輻照加固輻射致漏電路徑

共1條 1/1 1

高壓ldmos介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條高壓ldmos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對高壓ldmos的理解，并與今后在此搜索高壓ldmos的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派 linux

關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社版權所有北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473

看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();