高密度存算一體化非易失性鐵電單晶疇壁存儲器 文章 進入高密度存算一體化非易失性鐵電單晶疇壁存儲器技術社區(qū)

復旦微電子學院研制出高密度存算一體化非易失性鐵電單晶疇壁存儲器和晶體管

• 自戈登·摩爾提出至今，摩爾定律已持續(xù)發(fā)展半個多世紀，芯片集成度不斷提高，性能不斷提升。然而如今器件特征尺寸不斷縮小，特別是接近納米尺度的量級時，出現(xiàn)量子尺寸效應、界面效應、短溝道效應等問題，影響了器件性能。根據(jù)國際半導體技術藍圖預測，對于5nm以下技術節(jié)點工藝，現(xiàn)有存儲技術將不能滿足芯片高性能、低功耗的要求。因此，高密度、低功耗的新型存儲器亟待開發(fā)。當前計算機架構基于“馮?諾依曼”體系，計算與存儲相互分離，二者間的數(shù)據(jù)反復交換和速度差異占據(jù)了大量冗余時間，被稱為“存儲墻”，直接導致整個芯片系統(tǒng)運算速度下降
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