高帶寬內(nèi)存 文章 進(jìn)入高帶寬內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)展望：2024年及以后
- HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)是即將到來的“內(nèi)存內(nèi)計算/處理”時代的一種“近內(nèi)存計算（Near Memory Computing）/處理”階段。由于人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)的高需求，三星、SK海力士和美光這三大內(nèi)存制造商正在HBM技術(shù)的開發(fā)上競相角逐。HBM是一種具有高帶寬和寬通道的3D堆疊DRAM器件，這意味著它非常適合高性能計算（HPC）、高性能圖形處理單元（GPU）、人工智能和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的高能效、高性能、大容量和低延遲內(nèi)存。因此，對于內(nèi)存制造商而言，硅通孔（TSV）工藝集成和3D HBM DRAM芯片堆疊
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英特爾至強(qiáng)CPU Max系列：整合高帶寬內(nèi)存（HBM）和至強(qiáng)處理器內(nèi)核
- 治療癌癥、減緩全球變暖、保護(hù)生態(tài)健康——當(dāng)今世界充滿了各種挑戰(zhàn)。因此，通過科技緊跟時代發(fā)展步伐，并充分利用不斷增長的數(shù)據(jù)至關(guān)重要。這不僅涉及數(shù)據(jù)的處理速度，也涉及能夠處理的海量數(shù)據(jù)，以及數(shù)據(jù)在內(nèi)存和處理器之間的傳輸速度。 英特爾設(shè)計工程部首席工程師、英特爾?至強(qiáng)? CPU Max系列（代號Sapphire Rapids HBM）首席架構(gòu)師Ugonna Echeruo如此描述這一挑戰(zhàn)：究其根本，一顆CPU是從內(nèi)存獲取信息、對其進(jìn)行處理并更新。CPU最終可以處理的信息量受限于數(shù)據(jù)傳輸“管道”的寬窄。
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高帶寬內(nèi)存介紹
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