高電容密度 文章 進(jìn)入高電容密度技術(shù)社區(qū)

愛普高電容密度硅電容S-SiCap? Gen3通過客戶驗(yàn)證

• 全球客制化存儲(chǔ)芯片解決方案設(shè)計(jì)公司愛普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過客戶驗(yàn)證，此產(chǎn)品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢(shì)，可在先進(jìn)封裝制程中與系統(tǒng)單芯片(SoC)進(jìn)行彈性客制化整合，滿足客戶在高端手機(jī)及高性能計(jì)算(HPC)芯片的應(yīng)用需求。愛普科技的S-SiCap?使用先進(jìn)的堆棧式電容技術(shù)(Stack Capacitor)開發(fā)，相比傳統(tǒng)深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)的電容密度
• 關(guān)鍵字： 愛普  高電容密度  硅電容  S-SiCap