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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 高電源抑制比

高電源抑制比文章進入高電源抑制比技術(shù)社區(qū)

一種基于40nm CMOS工藝的新型溫度補償、高電源抑制比的帶隙基準源

基于TSMC40LP工藝設(shè)計了一種新穎的溫度補償、高電源抑制比的帶隙基準源。本設(shè)計采用全MOSFET設(shè)計，工作于1.1 V電源電壓，通過將MOSFET偏置在零溫度系數(shù)工作點，并結(jié)合溫度補償技術(shù)和有源衰減電路，實現(xiàn)在-40 ℃~125 ℃內(nèi)溫度變化系數(shù)為6.6 ppm/℃，低頻下電源抑制比為93 dB，高頻下電源抑制比為56 dB，與此同時，利用阻抗調(diào)試對環(huán)路穩(wěn)定性進行了補償。
關(guān)鍵字：帶隙基準全CMOS 低電源電壓曲率補償高電源抑制比零溫系數(shù)點 201804

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高電源抑制比介紹

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