高速二極管型 文章 進(jìn)入高速二極管型技術(shù)社區(qū)
東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET
- 中國上海,2024年2月22日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應(yīng)用的開關(guān)電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”,于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品采用高速二極管,旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反
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高速二極管型介紹
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