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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 高速低噪聲比較器

          基于線性提升和高速低噪聲比較器技術(shù)的10 bit 160 MSPS SAR ADC設(shè)計

          • 基于采樣管p阱浮空技術(shù)用于寄生電容電荷補(bǔ)償,實現(xiàn)采樣開關(guān)高線性度。使串聯(lián)的兩個寄生電容的容值變化方向相反,從而實現(xiàn)了容值的相互補(bǔ)償,使輸入管的寄生電容容值不隨輸入信號幅度變化,相較傳統(tǒng)技術(shù),采樣開關(guān)的線性度得到進(jìn)一步提高。另一方面,提出了一種高速低噪聲動態(tài)比較器技術(shù),減小了MOS管的導(dǎo)通電阻,增加了比較器速度,通過襯底自舉技術(shù),使比較器輸入管的閾值電壓明顯降低,跨導(dǎo)增加,從而降低了比較器的等效輸入噪聲,解決了動態(tài)比較器速度和噪聲之間必須進(jìn)行折中的技術(shù)難點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 10 bit 160 MSPS  采樣管p阱浮空技術(shù)  高速低噪聲比較器  202112  
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          高速低噪聲比較器介紹

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