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高速d/a
高速d/a 文章 進(jìn)入高速d/a技術(shù)社區(qū)
A*STAR和Soitec宣布推出聯(lián)合計(jì)劃,以開發(fā)全新先進(jìn)封裝層轉(zhuǎn)移工藝
- 北京,2019年3月27日 – 新加坡科技研究局(A*STAR)微電子研究院(IME)與設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)先企業(yè)Soitec宣布推出一項(xiàng)聯(lián)合計(jì)劃,將要開發(fā)采用先進(jìn)多芯片晶圓級(jí)封裝技術(shù)的新一代層轉(zhuǎn)移工藝。基于微電子研究院的晶圓級(jí)扇出封裝(FOWLP)和2.5D硅中介層(TSI)以及Soitec的Smart Cut?技術(shù),新的轉(zhuǎn)移工藝可實(shí)現(xiàn)高性能、高能效、高產(chǎn)量以及成本競(jìng)爭(zhēng)力?! ∠冗M(jìn)封裝技術(shù)目前主要用于服務(wù)器、智能手機(jī)、工業(yè)和汽車應(yīng)用領(lǐng)域的系統(tǒng)級(jí)芯片(SOC),通過(guò)將半導(dǎo)體芯片組
- 關(guān)鍵字: A*STAR 晶圓
A/D轉(zhuǎn)換組合工作原理剖和結(jié)構(gòu)組成分析
- 1引言 A/D轉(zhuǎn)換組合是雷達(dá)目標(biāo)諸元數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、傳輸?shù)暮诵牟考?一旦出現(xiàn)故障,目標(biāo)信號(hào)將無(wú)法傳送到信息處理中心進(jìn)行處理,從而導(dǎo)致雷達(dá)主要功能失效。某設(shè)備的A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜,可靠性差,可維修性差,故障率高,因此,采用CPLD技術(shù)和器件研究A/D轉(zhuǎn)換組合,改善該設(shè)備的總體性能。 2 A/D轉(zhuǎn)換組合工作原理剖析 A/D轉(zhuǎn)換組合作為武器系統(tǒng)的核心部件,接口特性和功能與武器系統(tǒng)的兼容,是新A/D轉(zhuǎn)換組合研制成功的前提,因此,必須對(duì)引進(jìn)A/D轉(zhuǎn)換組合進(jìn)行詳細(xì)的分析研究,提取接口特性及其參數(shù),分析組合功能
- 關(guān)鍵字: A/D CPLD
泛林集團(tuán)CTO與魏少軍教授談半導(dǎo)體制造的挑戰(zhàn)
- 作者 / 王瑩 近日泛林集團(tuán)技術(shù)研討會(huì)(Lam Research Technical Symposium)在清華大學(xué)舉行,泛林集團(tuán)(Lam)執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官 Richard A. Gottscho博士和清華大學(xué)微電子學(xué)研究所所長(zhǎng)魏少軍教授向電子產(chǎn)品世界編輯介紹了一下代半導(dǎo)體制造業(yè)的挑戰(zhàn)。泛林集團(tuán)技術(shù)研討會(huì)注重產(chǎn)學(xué)結(jié)合 據(jù)Gottscho博士介紹,泛林集團(tuán)技術(shù)研討會(huì)(Lam Research Technical Symposium)每年舉辦一次,今年是第二屆。會(huì)議的目的是通過(guò)相互交流與探討,激發(fā)創(chuàng)
- 關(guān)鍵字: Lam Research Technical Symposium Richard A. Gottscho 魏少軍 201810
羅德與施瓦茨和金雅拓合作最大限度簡(jiǎn)化LTE-A無(wú)線終端外場(chǎng)測(cè)試
- 羅德與施瓦茨正在與無(wú)線模塊供應(yīng)商金雅拓展開合作,以解決需要在不同國(guó)家進(jìn)行大范圍外場(chǎng)測(cè)試的問(wèn)題。這一解決方案可以將金雅拓 Cinterion模塊記錄的網(wǎng)絡(luò)配置參數(shù)應(yīng)用于CMW500無(wú)線通信測(cè)試儀上。終端制造商在LTE和LTE-A終端的開發(fā)階段可以使用這種虛擬路測(cè)方案,這一解決方案不僅適用于智能終端,還可以用于物聯(lián)網(wǎng)模塊和車輛網(wǎng)等相關(guān)領(lǐng)域。指定網(wǎng)絡(luò)的集成測(cè)試和外場(chǎng)測(cè)試包含掉話率、切換和漫游異常的分析,尤其在跨國(guó)和網(wǎng)絡(luò)邊界區(qū)域尤為重要。羅德與施瓦茨測(cè)試設(shè)備和金雅拓蜂窩模塊一起確保協(xié)議棧在所有網(wǎng)絡(luò)和
- 關(guān)鍵字: CMW500 LTE-A
2017年TDDI出貨量估成長(zhǎng)191% a-Si規(guī)格成新藍(lán)海
- DIGITIMESResearch觀察觸控與顯示驅(qū)動(dòng)整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場(chǎng)發(fā)展,由于增加HybridIn-Cell型態(tài)產(chǎn)品,以及面板業(yè)者導(dǎo)入TDDI動(dòng)機(jī)提升等因素帶動(dòng),2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長(zhǎng)191%,其中,臺(tái)系業(yè)者市占率將達(dá)近4成,從過(guò)去由新思(Synaptics)一家獨(dú)大局面中突圍。 TDDI芯片又稱IDC(IntegratedDisplayandController),2017年上半受大中華區(qū)智能型手
- 關(guān)鍵字: a-Si TDDI
LTE-A PDSCH信道的解調(diào)技術(shù)研究與實(shí)現(xiàn)
- LTE以其高速率、低時(shí)延等優(yōu)點(diǎn),得到世界各主流通信設(shè)備商和運(yùn)營(yíng)商的廣泛關(guān)注,并已經(jīng)開始進(jìn)行大規(guī)模的商用。為了保證 LTE及其后續(xù)技術(shù)的長(zhǎng)久生命力,同時(shí)也為了滿足IMT-A和未來(lái)通信的更高需求,LTE-A的推行已經(jīng)勢(shì)不可擋。為了檢測(cè)LTE-A物理層的業(yè)務(wù)信息,LTE-A PDSCH的解調(diào)成為物理層分析的核心模塊。本文結(jié)合自主研發(fā)的綜合測(cè)試儀,對(duì)LTE-A PDSCH解調(diào)技術(shù)進(jìn)行探討,儀器分析結(jié)果表明提出的檢測(cè)技術(shù)正確有效。
- 關(guān)鍵字: LTE-A CA 解調(diào) 201707
基于ZigBee無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)的語(yǔ)音會(huì)議系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 本方案設(shè)計(jì)了一種基于ZigBee傳輸?shù)臒o(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的語(yǔ)音會(huì)議系統(tǒng)。每個(gè)話筒作為無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)的一個(gè)節(jié)點(diǎn),所有話筒組成一個(gè)無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)。話筒的聲音數(shù)據(jù)通過(guò)ZigBee傳輸上傳到匯聚節(jié)點(diǎn),匯聚節(jié)點(diǎn)再轉(zhuǎn)發(fā)到擴(kuò)聲系統(tǒng),此設(shè)計(jì)有效地解決傳送距離過(guò)遠(yuǎn)和部分死角位置無(wú)法傳送的問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字: 無(wú)線傳感器 ZigBee A/D采樣 ZICM2410
高速A/D系統(tǒng)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)及電路設(shè)計(jì)問(wèn)題
- 在現(xiàn)代雷達(dá)系統(tǒng)、激光測(cè)距以及高能物理試驗(yàn)中往往產(chǎn)生寬帶信號(hào)或者上升沿比較陡的信號(hào)(一般10ns左右)。若對(duì)此類信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化處理,要求A/D部分的采樣率至少應(yīng)該在200M/s以上。本文介紹的系統(tǒng)正是針
- 關(guān)鍵字: A/D采樣系統(tǒng) 高速數(shù)據(jù) PC機(jī)
盤點(diǎn)硬盤領(lǐng)域的九大基礎(chǔ)技術(shù)
- 硬盤技術(shù)伴隨著我們走過(guò)了幾十年的風(fēng)風(fēng)雨雨。我們?cè)谑褂糜脖P技術(shù)的時(shí)候還有很多不了解的東西,下面就詳細(xì)的介紹硬盤技術(shù)中的主流技術(shù)。希望大家能夠深入了解硬盤技術(shù)??偟膩?lái)說(shuō),目前硬盤技術(shù)的發(fā)展主要集中在速度、容量及可靠性三方面。Ultra-ATA100/133接口、GMR巨磁阻技術(shù)和S.M.A.R.T自我監(jiān)測(cè)分析和報(bào)告技術(shù)等各項(xiàng)技術(shù)已普遍為各大硬盤制造商所采用,這使得硬盤在傳輸率、單片存儲(chǔ)容量和監(jiān)測(cè)預(yù)告技術(shù)上較以往有了很大提高。
- 關(guān)鍵字: 硬盤技術(shù) GMR S.M.A.R.T
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