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高頻開關(guān)電源的EMC設(shè)計(jì)
- 0 引 言
目前，在計(jì)算機(jī)及外圍設(shè)備、通信、自動(dòng)控制、家用電器等領(lǐng)域中大量使用高頻開關(guān)電源，但高頻開關(guān)電源的突出缺點(diǎn)是能產(chǎn)生較強(qiáng)的電磁干擾(Electro Magnet-ic Interference，EMI)。
由于高頻開關(guān)電源 - 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) EMC 開關(guān)電源 高頻 電磁兼容 電磁干擾 抑制措施 高頻開關(guān)電源 印制電路板
現(xiàn)實(shí)性分析：RFID逐步釋放其潛力
- 作為RFID技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，恩智浦半導(dǎo)體對(duì)RFID的認(rèn)知來自于20年的芯片設(shè)計(jì)和無數(shù)次參與成功系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用實(shí)施的經(jīng)驗(yàn)。RFID的前途一片光明。 但該行業(yè)要一步一個(gè)腳印地呈現(xiàn)其利益所在。單品級(jí)標(biāo)簽在某些應(yīng)用中已切實(shí)可行，但在其它應(yīng)用中 還未實(shí)現(xiàn)。 樂觀的理由是：基礎(chǔ)RFID IC 產(chǎn)品(無線傳輸信息的小芯片)已不再昂貴并經(jīng)過時(shí)間測(cè)試，同時(shí)具有一流的簡易性。 RFID標(biāo)簽和系統(tǒng)是相互影響的，它們逐步的技術(shù)進(jìn)步形成一個(gè)循環(huán)，不斷促使彼此獲得有更強(qiáng)的功能、更高的效率和更低的成本。 換言之，捕捉、存儲(chǔ)和
- 關(guān)鍵字： NXP RFID UCODE 低頻 高頻 200906
一種基于高速并行A／D轉(zhuǎn)換的激光z掃描的 高頻窄脈
- O 引 言
Z掃描是一種應(yīng)用于光學(xué)非線性測(cè)量的方法，使用這種方法可以測(cè)量光學(xué)材料非線性折射率的大小、正負(fù)以及非線性吸收系數(shù)。因?yàn)橥ㄟ^光學(xué)材料的激光能量大小與光電接收器轉(zhuǎn)換后獲得的電壓幅值成某種比例關(guān)系 - 關(guān)鍵字： 高速并行 D轉(zhuǎn)換 高頻 幅值
基于Matlab的高頻開關(guān)電源功率因數(shù)測(cè)量電路研究
- 文中提出了兩種功率因數(shù)仿真測(cè)量模型，并在RC正弦電路中進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。結(jié)果表明，兩種仿真測(cè)量模型得到的功率因數(shù)仿真數(shù)值與理論計(jì)算值一致。然后用這兩種仿真測(cè)量電路對(duì)42kJ／s數(shù)字式高頻高壓恒流充電電源進(jìn)行了仿真測(cè)量，其測(cè)得的功率因數(shù)結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測(cè)得的結(jié)果一致，從而進(jìn)一步驗(yàn)證了這兩種功率因數(shù)仿真測(cè)量模型的可靠性。
- 關(guān)鍵字： 測(cè)量 電路 研究 因數(shù) 功率 Matlab 高頻 開關(guān)電源 基于 轉(zhuǎn)換器
HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場效應(yīng)三極管
- HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場效應(yīng)三極管 HVVi半導(dǎo)體推出首個(gè)高頻高電壓垂直場效應(yīng)三極管（HVVFET?），HVVi的新構(gòu)架為雷達(dá)和航空電子應(yīng)用提供頻帶、電壓以及功率級(jí)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了目前的雙極性和LDMOS技術(shù)的性能。這一具有革命性新的正在申請(qǐng)專利的技術(shù)使得HVVi達(dá)到了可與非硅芯片技術(shù)的性能級(jí)別，而其成本水平卻極具吸引力。 作為初始發(fā)布的一部分，HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構(gòu)架的最早三款產(chǎn)品。用于L-波段高功率脈沖RF應(yīng)用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三個(gè)新產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： HVVi 高頻 高電壓 場效應(yīng) 三極管
機(jī)載高頻開關(guān)電源的設(shè)計(jì)與研制
- 問題的描述 機(jī)載高頻開關(guān)電源產(chǎn)品專門用于輸入交流400Hz的場合，這是特意為了滿足軍用雷達(dá)、航空航天、艦船、機(jī)車以及導(dǎo)彈發(fā)射等專門用途所設(shè)計(jì)的。應(yīng)用戶要求，研制出機(jī)載高頻開關(guān)電源產(chǎn)品對(duì)電子武器裝備系統(tǒng)的國產(chǎn)化，打破國際封鎖，提高我軍裝備的機(jī)動(dòng)性，高性能都有重要的意義。 機(jī)上可供選擇的供電電源有兩種輸入方式：115V/400Hz中頻交流電源和28V直流電源。兩種輸入方式各有優(yōu)缺點(diǎn)，115V/400Hz電源波動(dòng)小，需要器件的耐壓相對(duì)較高;而28V直流電源卻相反，一般不能直接提供給設(shè)備部件使用，
- 關(guān)鍵字： 高頻 電源
電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展
- 1 引言 人類的經(jīng)濟(jì)活動(dòng)已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟(jì)時(shí)代，并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時(shí)期。電源是位于市電（單相或三相）與負(fù)載之間，向負(fù)載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備，是工業(yè)的基礎(chǔ)。 電源技術(shù)是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件，綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)的多學(xué)科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機(jī)工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。他對(duì)現(xiàn)代通訊、電子儀器、計(jì)算機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化、電力工程、國防及某些
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 創(chuàng)新 高頻 MOSFET 模擬IC 電源
高頻介紹
是指經(jīng)常出現(xiàn)的、使用頻率高，如詞語中的高頻詞，高頻詞匯等。也指與物理學(xué)相關(guān)的詞，高頻電波High frequency (HF)，如無線電頻帶由3 MHz 到 30 MHz的電波。比HF頻率低的是中頻(MF)，比HF頻率高的是甚高頻(VHF)。HF多數(shù)是用作民用電臺(tái)廣播及短波廣播。HF對(duì)于電子儀器所發(fā)出的電波抵抗力較弱，因此經(jīng)常受到干擾。
還指與電子有關(guān)的產(chǎn)品，如高頻電路，高頻機(jī)，高頻篩等高頻 [ 查看詳細(xì) ]
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