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高k金屬柵極
高k金屬柵極 文章 進(jìn)入高k金屬柵極技術(shù)社區(qū)
傳臺(tái)積電取消32nm工藝
- 據(jù)稱，全球第一大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電已經(jīng)完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。 臺(tái)積電方面尚未就此發(fā)表官方評(píng)論，不過已經(jīng)有多個(gè)消息來源確認(rèn)了這一點(diǎn)。 不過這并不意味著臺(tái)積電的新工藝研發(fā)就走進(jìn)了死胡同。 事實(shí)上，臺(tái)積電在今年八月底就已經(jīng)在全球首家成功使用28nm工藝試制了64Mb SRAM單元，并在三種不同工藝版本上實(shí)現(xiàn)了相同的良品率。 按照規(guī)劃，臺(tái)積電將在明年前三個(gè)季度分別開始試產(chǎn)28nm高性能高K金屬柵極(28HP)、28nm低功耗
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Intel高級(jí)副總裁:Intel不懈努力尋求延續(xù)摩爾定律
- 2009秋季英特爾信息技術(shù)峰會(huì)于9月22日至24日在美國(guó)舊金山舉行。下面是Bob Baker第一天主題演講的主要內(nèi)容及新聞亮點(diǎn)。 Bob Baker：“引領(lǐng)硅技術(shù)創(chuàng)新”(Silicon Leadership – Delivering Innovation) 英特爾高級(jí)副總裁兼技術(shù)與制造事業(yè)部總經(jīng)理 Bob Baker今天發(fā)表主題演講介紹了英特爾通過新材料、硅技術(shù)與制造能力的研究與創(chuàng)新，將摩爾定律不斷推向前進(jìn)的不懈努力。 · 全球
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