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英特爾：ASML首批兩臺High-NA EUV設(shè)備已投產(chǎn)
- 據(jù)路透社報道，半導(dǎo)體大廠英特爾近日表示，半導(dǎo)體設(shè)備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數(shù)值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產(chǎn)，且早期數(shù)據(jù)顯示，這些設(shè)備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會議上指出，英特爾已經(jīng)利用ASML高數(shù)值孔徑光刻機在一個季度內(nèi)生產(chǎn)了3萬片晶圓，這些晶圓是足以生產(chǎn)數(shù)千個計算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進設(shè)備的芯片制造商，與之前的ASML設(shè)備相比，這些機器可望制造出更小
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英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產(chǎn)，單季完成3萬片晶圓
- 據(jù)路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作，從而節(jié)省時間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示，High NA EUV 機器只需要一次曝光和“個位數(shù)”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
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英特爾：首批兩臺High-NA EUV 設(shè)備已投產(chǎn)
- 英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數(shù)值孔徑（High NA）曝光機一季內(nèi)生產(chǎn) 3 萬片晶圓，即生產(chǎn)數(shù)千顆運算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設(shè)備的芯片制造商，與之前ASML設(shè)備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉(zhuǎn)變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時落后競爭對手。英特爾花了七年才將之前機器全面投產(chǎn)，導(dǎo)致領(lǐng)先優(yōu)勢被臺積電超越。 生產(chǎn)
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EUV光刻，新的對手
- 最近，美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室（LLNL）宣布開發(fā)出了一種名稱為大孔徑銩（BAT）激光器，這種激光器比現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn) CO2 激光器將 EUV 光源提高約 10 倍。這一進步，可能為新一代「超越 EUV」的光刻系統(tǒng)鋪平道路，從而生產(chǎn)出更小、更強大、制造速度更快、同時耗電量更少的芯片。簡而言之，美國開發(fā)的新一代 BAT 激光器，遠超現(xiàn)在的 EUV 光刻，能夠?qū)⑿侍嵘?10 倍。EUV 光刻有多強？目前來看，沒有 EUV 光刻，業(yè)界就無法制造 7nm 制程以下的芯片。EUV 光刻機也是歷史上最復(fù)雜、最
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納米壓印光刻技術(shù)旨在挑戰(zhàn)EUV
- 9 月，佳能推出了這項技術(shù)的第一個商業(yè)版本，有朝一日可能會顛覆最先進的硅芯片的制造。它被稱為納米壓印光刻 （NIL），能夠?qū)π≈?14 納米的電路特征進行圖案化，使邏輯芯片能夠與目前正在量產(chǎn)的 Intel、AMD 和 Nvidia 處理器相媲美。NIL 系統(tǒng)提供的優(yōu)勢可能會挑戰(zhàn)價值 1.5 億美元的機器，這些機器在當(dāng)今先進的芯片制造中占據(jù)主導(dǎo)地位，即極紫外 （EUV） 光刻掃描儀。如果佳能是正確的，其機器最終將以極低的成本提供 EUV 質(zhì)量的芯片。該公司的方法與 EUV 系統(tǒng)完全不同，后者完全由總部位于荷
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中芯沒EUV是好事？外媒爆自產(chǎn)DUV大突破
- 荷蘭芯片設(shè)備制造巨擘ASML執(zhí)行長?？耍–hristophe Fouquet）表示，盡管中國大陸企業(yè)如中芯國際近年來在半導(dǎo)體領(lǐng)域有顯著進展，但由于無法取得最先進的極紫外光微影設(shè)備（EUV），芯片制程技術(shù)仍落后臺積電、三星等代工龍頭約10至15年。Tom's Hardware報導(dǎo)，?？私邮芎商m《鹿特丹商報》（NRC）采訪時指出，中芯國際和華為僅使用深紫外光曝光設(shè)備（DUV），在成本效益上無法與臺積電的制程技術(shù)相提并論。他認為，美國政府祭出的禁止EUV出口中國大陸禁令確實有效，讓中國落后西方約15 年
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ASML凈銷售額75億歐元，凈利潤為21億歐元，預(yù)計2024年全年凈銷售額約為280億歐元
- 阿斯麥（ASML）近日發(fā)布2024年第三季度財報。2024年第三季度，ASML實現(xiàn)凈銷售額75億歐元，毛利率為50.8%，凈利潤達21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2，其中14億歐元為EUV光刻機訂單。ASML預(yù)計2024年第四季度的凈銷售額在88億至92億歐元之間，毛利率介于49%到50%，2024年全年的凈銷售額約為280歐元。ASML還預(yù)計，2025年的凈銷售額在300億至350億歐元之間，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財報一覽（除非特別說明，數(shù)字均以百萬歐元
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英特爾計劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心
- IT之家 9 月 3 日消息，日經(jīng)報道稱，英特爾將與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）在日本建立芯片研發(fā)基地，新設(shè)施將在三到五年內(nèi)建成，配備極紫外線光刻（EUV）設(shè)備。▲ 圖源：英特爾設(shè)備制造商和材料公司將付費使用該設(shè)施進行原型設(shè)計和測試。據(jù)介紹，這將是日本第一個行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設(shè)備的中心。IT之家查詢獲悉，產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所隸屬經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省，是日本一家設(shè)法使用集成科學(xué)和工程知識來解決日本社會和經(jīng)濟發(fā)展需要的研究機構(gòu)，總部位于東京，2001 年成為獨立行政機構(gòu)的一個新設(shè)計的法律機構(gòu)。
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
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極紫外光刻新技術(shù)問世，大幅降本增效
- 日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)設(shè)計了一種極紫外（EUV）光刻技術(shù)，超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限。
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臺積電不用當(dāng)盤子了？日本開發(fā)出更便宜EUV 撼動芯片業(yè)
- 荷商艾司摩爾（ASML）是半導(dǎo)體設(shè)備巨頭，臺積電等龍頭公司制造先進芯片，都需采用ASML制造商生產(chǎn)的昂貴極紫外光曝光機（EUV），根據(jù)《Tom's Hardware》報導(dǎo)，日本科學(xué)家已開發(fā)出簡化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產(chǎn)成本。報導(dǎo)指出，沖繩科學(xué)技術(shù)學(xué)院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡化的EUV曝光機，相比ASML開發(fā)和制造的工具更便宜，如果該種設(shè)備大規(guī)模量產(chǎn)，可能重塑芯片制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況。值得關(guān)注的是，新系統(tǒng)在光學(xué)投影設(shè)定中只使用兩面鏡子，與傳統(tǒng)的
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價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設(shè)備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時間未定
- IT之家 7 月 30 日消息，《電子時報》昨日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此，臺積電海外營運資深副總經(jīng)理暨副共同營運長張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應(yīng)用于未來制程節(jié)點的成本效益與可擴展性，目前采用時間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML上個月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價值達 3.8
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臺積電大舉拉貨EUV光刻機
- 臺積電依然是 EUV 設(shè)備的最大買家。臺積電 2nm 先進制程產(chǎn)能將于 2025 年量產(chǎn)，設(shè)備廠正如火如荼交機，尤以先進制程所用之 EUV（極紫外光刻機）至為關(guān)鍵，今明兩年共將交付超過 60 臺 EUV，總投資金額上看超過 4000 億元新臺幣。在產(chǎn)能持續(xù)擴充之下，ASML 2025 年交付數(shù)量增長將超過 3 成，臺廠供應(yīng)鏈沾光，其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準(zhǔn)、京鼎及翔名等有望同步受惠。設(shè)備廠商透露，EUV 設(shè)備供應(yīng)吃緊，交期長達 16~20
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