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          2025年中國AR/VR市場十大洞察

          • 2024年中國AR/VR產(chǎn)業(yè)在變化多端的市場和經(jīng)濟環(huán)境下,經(jīng)受了諸多困難與挑戰(zhàn)。IDC預(yù)計,2025年在軟硬件技術(shù)革新、AI加持、終端廠商入局的推動下,整體AR/VR市場將迎來轉(zhuǎn)折節(jié)點。對此,IDC總結(jié)并給出了2025年中國AR/VR的十大洞察,具體內(nèi)容如下:洞察一:2025年中國AR/VR市場迎來回暖,出貨預(yù)計增長114.7%2024全年中國AR/VR市場預(yù)計出貨53.5萬臺,同比下滑26.3%。盡管面臨著宏觀經(jīng)濟及消費購買力波動等不確定性因素,但受到產(chǎn)品技術(shù)革新、AI加成以及新廠商入局的大力拉動,ID
          • 關(guān)鍵字: AR/VR  

          中國成為最大腕戴設(shè)備市場,引領(lǐng)全球增長

          • 根據(jù)國際數(shù)據(jù)公司(IDC)最新發(fā)布的《全球可穿戴設(shè)備市場季度跟蹤報告》,2024年前三季度全球腕戴設(shè)備市場出貨1.4億臺,同比下滑1.0%,主要是受到印度和美國競爭同質(zhì)化和市場較為飽和而下滑的影響。中國腕戴設(shè)備市場出貨量為4,576萬臺,同比增長20.1%;中國作為最大腕戴設(shè)備出貨市場,引領(lǐng)全球增長。腕戴設(shè)備市場包含智能手表和手環(huán)產(chǎn)品。其中,智能手表市場在2024年前三季度全球出貨量1.1億臺,同比下降3.8%;而中國智能手表市場出貨量3,286萬臺,同比增長23.3%。手環(huán)市場在2024年前三季度全球出
          • 關(guān)鍵字: 腕戴設(shè)備  

          借助第二代 AMD VERSAL 實現(xiàn)先進醫(yī)療成像

          • 診斷醫(yī)療成像設(shè)備必須能夠產(chǎn)出高質(zhì)量圖像、實現(xiàn)所需的掃描深度,以及顯示實時結(jié)果。設(shè)備中采用的最優(yōu)片上系統(tǒng)( SoC )必須提供所需的應(yīng)用性能、目標(biāo)幀率并實時顯示結(jié)果。SoC 也必須恰當(dāng)結(jié)合高速接口的類型、速率和數(shù)量。放眼未來,這類設(shè)備中的大部分還需要支持 AI 功能的執(zhí)行和加速,例如感興趣區(qū)域( ROI )選擇、圖像分類和其他 AI 任務(wù)。第二代 Versal? 自適應(yīng) SoC 配備的處理系統(tǒng)可提供比前代至高多出 10 倍的標(biāo)量算力性能 1 ,同時支持 DDR5 內(nèi)存。第二代 Versa
          • 關(guān)鍵字: Xilinx  AMD  VERSA  醫(yī)療成像  

          開源軟件如何推動 EV 充電標(biāo)準(zhǔn)的普及?

          • 預(yù)計電動汽車 (EV) 數(shù)量到 2030 年將占全球汽車銷量的 60% 以上,因此,EV 充電器的數(shù)量也必須相應(yīng)增加。 市場迫切需要可靠的 EV 充電基礎(chǔ)設(shè)施;然而, EV 充電器連接器、插頭類型和充電協(xié)議之間存在不一致 ,這可能會加劇里程焦慮,甚至影響消費者的購買決策,因為消費者無法確定其考慮的車輛是否與本地或長途旅行中所需的充電器兼容。為了解決 EV 駕駛員的疑慮并簡化充電體驗,一種簡單的解決方案應(yīng)運而生: 在充電站采用統(tǒng)一的 EV 充電標(biāo)準(zhǔn),使幾乎所有 EV
          • 關(guān)鍵字: TI  開源軟件   EV  

          技術(shù)干貨|MCU 如何優(yōu)化實時控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測?借助邊緣 AI!

          • 當(dāng)前關(guān)于人工智能 (AI) 和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的討論主要集中在生成應(yīng)用(生成圖像、文本和視頻),很容易忽視 AI 將為工業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中的電子產(chǎn)品帶來變革 的實際示例。不過,雖然在 電機驅(qū)動器、太陽能(如圖 1 所示)和電池管理應(yīng)用的實時控制系統(tǒng)中 采用 AI 不會像新的大型語言模型那樣引起大量關(guān)注,但 使用邊緣 AI 進行故障檢測可以顯著影響系統(tǒng)的效率、安全性和生產(chǎn)力 。圖 1:太陽能電池板陣列本文中將討論 集成式微控制器 (MCU) 如何
          • 關(guān)鍵字: TI  MCU  實時控制系統(tǒng)  系統(tǒng)故障檢測  

          技術(shù)干貨| MCU 如何提升高壓系統(tǒng)的實時性能?創(chuàng)新型 C29 內(nèi)核來啦!

          • 實時微控制器 (MCU) 在幫助高壓汽車和能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)滿足電源效率、功率密度和安全設(shè)計要求方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。無論是車載充電器 (OBC) 還是不間斷電源 (UPS) , 這些設(shè)備都必須在惡劣環(huán)境中為時間關(guān)鍵型任務(wù)提供快速、確定性的性能。F29H85x 系列 C2000 TM MCU 基于 TI 的 C29 內(nèi)核 ,專為應(yīng)對高壓系統(tǒng)中嚴(yán)苛的處理和安全設(shè)計挑戰(zhàn)而設(shè)計 。 這些 MCU 性能顯著提升,是前代 T
          • 關(guān)鍵字: TI  MCU  高壓系統(tǒng)  

          模擬芯視界 | 對比雙電源分立式和集成式儀表放大器

          • 引言設(shè)計分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點和缺點有很多,而且經(jīng)常爭論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能(隨溫度變化)和成本。 本文的 目的是 比較三種雙電源 IA 電路:使用四路運算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設(shè)置電阻器 (R G ) 的通用 IA 和帶有外部 R G 的精密 IA。雙電源電路圖 1 是使用德州儀器 (TI) TLV9064 四路運算放大器電
          • 關(guān)鍵字: TI  儀表放大器  模擬  

          EMQ聯(lián)合Azure舉行專題活動:消費電子產(chǎn)品的智能體升級之路

          • 12 月 12 日,EMQ 映云科技與微軟聯(lián)合開展的研討會在深圳順利舉行。本次活動以「消費電子產(chǎn)品的智能體升級之路」為主題,邀請業(yè)內(nèi)的頂尖專家和企業(yè)代表,共同探討消費電子產(chǎn)品的出海趨勢和智能化發(fā)展途徑,分享將傳統(tǒng)的低智能設(shè)備升級為高度互聯(lián)智能體的實踐經(jīng)驗和有效方案。微軟生態(tài)伙伴事業(yè)部 - 合作伙伴戰(zhàn)略發(fā)展總經(jīng)理 - 魏晉宇,介紹了微軟 Azure 的合作伙伴政策以及對 EMQ 在 Azure 云上客戶的支持方案。在數(shù)字化轉(zhuǎn)型的背景下,微軟正積極拓展其在全球范圍內(nèi)的合作伙伴網(wǎng)絡(luò),以更好地滿足不同地區(qū)、不同行
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          利用ZY-Smith圖設(shè)計二元匹配網(wǎng)絡(luò)

          • 了解導(dǎo)抗史密斯圓圖(ZY-Smith chart)、添加串聯(lián)和并聯(lián)元件的效果、阻抗匹配以及尋找兩元件匹配網(wǎng)絡(luò)。在本系列的前面,我們討論了如何分別使用阻抗史密斯圓圖和導(dǎo)納史密斯圓圖方便地分析串聯(lián)和并聯(lián)電路。當(dāng)處理并聯(lián)和串聯(lián)元件時,我們可以使用一個包括阻抗和導(dǎo)納圖的圖表。同時具有阻抗和導(dǎo)納輪廓的史密斯圓圖被稱為導(dǎo)抗史密斯圓圖(或ZY-Smith圖)。史密斯圓圖是電氣工程師菲利普·哈格·史密斯的發(fā)明。ZY-Smith圖表導(dǎo)抗史密斯圓圖如圖1所示。?圖1?示例導(dǎo)抗史密斯圓圖通過導(dǎo)抗史密斯圓圖,
          • 關(guān)鍵字: ZY-Smith圖,二元匹配網(wǎng)絡(luò)  

          榮譽雙收!江行智能獲評香港科大“十大準(zhǔn)獨角獸”及2024江蘇潛在獨角獸企業(yè)

          • 在科技創(chuàng)新的浪潮中,江行智能以穩(wěn)健的發(fā)展步伐和卓越的技術(shù)成就,再次站在了榮譽聚光燈下,獲評香港科大“十大準(zhǔn)獨角獸”、2024年江蘇潛在獨角獸企業(yè)。公司始終堅持以市場需求為導(dǎo)向,以科技創(chuàng)新為驅(qū)動,在穩(wěn)扎穩(wěn)打、逐步發(fā)展的過程中,得到越來越多的外界認(rèn)可。12月14日,香港科大重磅宣布2024“十大準(zhǔn)獨角獸”企業(yè)榜單,江行智能董事長劉江川院士、CTO樊小毅博士共同登臺領(lǐng)取這一榮譽獎項。此次獲評的十家“準(zhǔn)獨角獸科創(chuàng)企業(yè)”估值在$1億-$10億之間,年度營收高于¥1000萬,具備良好的發(fā)展前景和增長潛力;并且具有香港
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          深度 | GaN還是SiC,電氣工程師該如何選擇?

          • /  編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性:氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù),極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動,高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品,對他們的結(jié)構(gòu)、特性、兩者的應(yīng)用差異等方面進行了詳細(xì)的介紹。引 言作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  GaN  SiC  電氣工程師  

          功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流

          • / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型,Cauer模型和Foster模型,這一篇以二極管的浪涌電流為例,講清瞬態(tài)熱阻曲線的應(yīng)用。浪涌電流二極管的浪涌電流能力是半導(dǎo)體器件的一個重要參數(shù)。在被動整流應(yīng)用中,由于電網(wǎng)的頻率是50Hz,因此10ms的二極管電流
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  功率器件  瞬態(tài)熱阻  

          ATA-7020高壓放大器在數(shù)字微流控的即時凝血檢測技術(shù)研究中的應(yīng)用

          • 實驗名稱:ATA-7020高壓放大器在數(shù)字微流控的即時凝血檢測技術(shù)研究中的應(yīng)用實驗方向:微流控實驗設(shè)備:ATA-7020高壓放大器, 信號源、驅(qū)動板、電極陣列等實驗?zāi)康模罕緦嶒炌ㄟ^電壓驅(qū)動血液液滴,檢測血液液滴在運動過程中發(fā)生的變化。本實驗中通過設(shè)置不同的電壓組別來控制血液液滴的運動情況,確定合適的電壓驅(qū)動情況。實驗過程:1、通過上位機控制程序,發(fā)送信號給控制模塊,控制模塊控制PCB板上高低電平的轉(zhuǎn)換,高壓電源直接提供給PCB電極高壓;2、ATA-7020 放大器提供不同組別的高壓電源,本實驗中
          • 關(guān)鍵字: 安泰電子  放大器  

          這些電子元器件被“切開后”,讓人大開眼界

          • 天天都在用電子元器件,里面長什么樣?想看看嗎?今天王工帶大家看看電子元器件不為人熟知的內(nèi)部結(jié)構(gòu),以下是這些元器件經(jīng)過切割研磨后的橫截面照片:01表貼電容02薄膜電容03電解電容04瓷片電容05鉭電容06金屬膜電阻07淡粉電阻08色環(huán)電感09LED010二極管011三極管012按鈕013滑動單刀雙擲開關(guān)014雙排插針015干簧管繼電器016DB9接頭017電子管018網(wǎng)絡(luò)變壓器019紐扣電池020駐極體MIC021七段數(shù)碼管022光耦023耳機接頭024BGA封裝制作上述元器件的橫截面,一般需要經(jīng)過以下步驟
          • 關(guān)鍵字: 元件  無源器件  結(jié)構(gòu)  

          IDC:2025年全球半導(dǎo)體市場八大趨勢預(yù)測

          • 2025年半導(dǎo)體市場將實現(xiàn)15%增長。根據(jù)國際數(shù)據(jù)公司(IDC)“全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈追蹤情報” 的最新研究表明,鑒于 2025 年全球人工智能(AI)與高性能運算(HPC)需求不斷攀升,從云端數(shù)據(jù)中心、終端設(shè)備到特定產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,各個主要應(yīng)用市場都面臨著規(guī)格升級的趨勢,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將再次迎來全新的繁榮景象。IDC 資深研究經(jīng)理曾冠瑋表示:“在人工智能持續(xù)推動高階邏輯制程芯片需求,以及高價高帶寬內(nèi)存(HBM)滲透率提升的推動下,預(yù)計 2025 年整個半導(dǎo)體市場的規(guī)模將增長超過 15%。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈涵蓋設(shè)計、制造、封
          • 關(guān)鍵字: IDC  半導(dǎo)體  
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