據(jù)市調機構DRAMeXchange公布的調查報告指,今年以來DRAM內存價格大幅下跌,其估算一季度的跌幅從預期的25%擴大至30%,這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來說顯然不是好消息,其或因存儲芯片價格持續(xù)下跌導致位置不保?! 〈鎯π酒瑑r格持續(xù)上漲助三星取代Intel 自2016年以來,受PC、智能手機等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴大,PC正將機械硬盤轉換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內存的容量在不斷增大,智能手機的閃存和內存容量也在不斷擴大,存儲芯片價格進入了快速上漲的階段?! ∽鳛?/li>
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三星 DRAM
Mar. 5, 2019 ----
根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查,由于供過于求的市況,DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結價(Monthly
Deals),2月份更罕見出現(xiàn)價格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調整至逼近30%,是繼2011年以來單季最大跌幅?! RAMeXchange指出,從市場面來觀察,整體合約價自去年第四季開始下跌,隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer
bank)普遍來到至少一個半月的高水位。同時,Intel低
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DRAM
據(jù)businesskorea報道,中國計劃在未來六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元),大約是目前水平的五倍?! ∪欢S多專家表示,美國急于遏制中國的半導體野心,不太可能接受中國的提議,因為它將增加對中國的半導體依賴?! №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度,主要有兩個原因。 首先,中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片,無論是內存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導體芯片。在這種情況下,很難預測對韓國企業(yè)的影響。
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NAND DRAM
作為IC晶圓生產(chǎn)直接的原材料,全球硅片行業(yè)經(jīng)歷了從6寸向12寸的迭代,同時生產(chǎn)中心由美國轉移到了日本。目前日本憑借半導體產(chǎn)業(yè)分工帶來的機遇占據(jù)硅片行業(yè)50%以上份額,但......
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硅片 DRAM
據(jù)外媒消息,第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內存即DDR6的研發(fā),預期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000?! 〗邮懿稍L時,SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻,DDR6將在5~6年內發(fā)展起來。 Kim
Dong-kyun透露,“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術概念成型,其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范,另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術結合?! ≠Y料顯示,去年11月,SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
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DRAM DDR6
業(yè)界都謹慎地觀察2019年中國半導體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢,用呈”不確定性”,而一言以蔽之。本文擬從以下三個方面,包括2019年全球半導體業(yè)的弱勢;中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴充階段轉向產(chǎn)品增長的攻堅戰(zhàn);以及在貿易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國半導體業(yè)的增長。
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半導體 DRAM 存儲器
盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴增計劃,2019年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出將會大幅下滑,但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務上的支出。 ICInsights最新資料顯示,2016年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務資本支出金額的219億美元。
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DRAM 晶圓 Flash
非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類?! ≡诤芏嗟拇鎯ο到y(tǒng)的寫操作程序中,內存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁,提供更快速的性能,但是如果發(fā)生突然間斷電的情況,如何保護內存中的數(shù)據(jù)不丟失,這是存儲系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候,里面的數(shù)據(jù)會丟失,就像內存。非易失性存儲器在上面的情況下數(shù)據(jù)不會丟失,像硬盤等外存。RRAM是一
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存儲器 DRAM
根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2018年12月正值歐美年節(jié)時期,DRAM成交量清淡,因此不列入合約價計算,意味著12月份合約價與11月份大致持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右,而4GB約在30美元水位,但兩種模組的最低價分別已跌破60與30美元關卡。DRAMeXchange指出,2019年第一季合約價已于去年12月開始議定,綜合庫存過高、需求比原先預估更為疲弱,以及短中期經(jīng)濟展望不明朗等因素,買賣雙方已有8GB均價降至55美
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DRAM,價格
隨著中美談判嘗試結束貿易戰(zhàn),對于兩國沖突的一個關鍵方面——針對涉嫌盜竊商業(yè)機密的刑事起訴,美國謀求新的策略來打擊中國實現(xiàn)內存芯片量產(chǎn)的愿景。據(jù)外媒報道,當?shù)貢r間本周三,福建晉華與其合作伙伴臺灣聯(lián)電被控竊取商業(yè)機密一案在舊金山聯(lián)邦法院審理,預計晉華和聯(lián)電將做無罪辯護。
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晉華 DRAM 聯(lián)電
據(jù)BusinessKorea北京時間1月8日報道,受內存行業(yè)的增長推動,去年全球半導體市場同比增長了13%。三星電子以15.9%的市場份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注),營收同比增長38.2%,在行業(yè)前十大公司中增速最快?! ?jù)市場研究公司Gartner日前發(fā)布的2018年全球半導體市場初步報告顯示,全球半導體營收去年達4767億美元,同比增長13.4%。存儲芯片占半導體總營收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%,占比最大?! ∪请娮尤ツ甑陌雽w營收達759
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三星 半導體 DRAM
DRAM內存降價已是必然,內存大廠也紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內存漲的時候猛漲不止,降價的勢頭也同樣比預期更狠。與此同時,NAND Flash產(chǎn)能超出預期,以致市場供過于求,價格連續(xù)走跌。
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存儲器 DRAM
每年十二月,在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇,在其中報告半導體、電子元件技術、設計、制造、物理與模型等領域中的技術突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International
Electron Devices Meeting,縮寫:IEDM) 在每一界的IEDM上,全球工業(yè)界與學界的管理者、工程師和科學家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術、先進內存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學現(xiàn)象、光電工程、
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DRAM GAA-FET
全球DRAM市場上,三星一家獨大,接著是SK
Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫。 1 DRAM連漲之后持續(xù)下跌 在DRAM內存漲價超過9個季度之后,內存芯片價格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%,預計2019年還會繼續(xù)跌20%?! ∈艽擞绊懀虻谒拇髢却嫘酒瑥S商南亞科
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DRAM NAND
DRAM內存降價已是必然,內存大廠已紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內存漲的時候猛漲不止,降的時候看來勢頭會比預期更狠。 瑞銀分析師TimothyArcuri日前發(fā)布了關于內存市場的分析報告,雖然維持美光公司的中性評級,但他下調了美光的目標股價,從52美元砍至41美元。他不看好美光股價的原因就是明年Q1季度內存降價幅度要高于預期,之前分析認為明年環(huán)比下架10-12%左右,但是新的數(shù)據(jù)顯示明年Q1季度內存價格降幅達到10-15%,而且NAND閃存價格也會降10-15%?! 〈饲埃珼RAMeXchang
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DRAM 存儲器
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