1α dram 文章 進(jìn)入1α dram技術(shù)社區(qū)
Hynix預(yù)測：DRAM芯片市場將在二季度出現(xiàn)反彈
- 全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商、韓國Hynix半導(dǎo)體日前表示，預(yù)計(jì)到今年第二季度其主要業(yè)務(wù)——電腦存儲(chǔ)芯片市場將出現(xiàn)反彈。 在美國拉斯維加斯參加2008CES上，Hynix半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官KimJong-kap發(fā)表了上述觀點(diǎn)。 他稱，“此前，電腦儲(chǔ)存芯片市場一直處于低迷狀態(tài)，持續(xù)了大約15個(gè)月。而新一輪的低迷態(tài)勢從今年一月份開始，預(yù)計(jì)這一狀態(tài)還將延續(xù)一段時(shí)間。我們認(rèn)為從今年第二季度開始，存儲(chǔ)芯片市場將會(huì)陸續(xù)出現(xiàn)反彈?！? 在今年第三季度，Hynix半導(dǎo)體擁有全球DRAM芯片市場20%份額
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM 芯片 嵌入式
預(yù)測：DRAM芯片市場將在二季度出現(xiàn)反彈
- 全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商、韓國Hynix半導(dǎo)體日前表示，預(yù)計(jì)到今年第二季度其主要業(yè)務(wù)——電腦存儲(chǔ)芯片市場將出現(xiàn)反彈。 在美國拉斯維加斯參加2008CES上，Hynix半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官KimJong-kap發(fā)表了上述觀點(diǎn)。 他稱，“此前，電腦儲(chǔ)存芯片市場一直處于低迷狀態(tài)，持續(xù)了大約15個(gè)月。而新一輪的低迷態(tài)勢從今年一月份開始，預(yù)計(jì)這一狀態(tài)還將延續(xù)一段時(shí)間。我們認(rèn)為從今年第二季度開始，存儲(chǔ)芯片市場將會(huì)陸續(xù)出現(xiàn)反彈?！? 在今年第三季度，Hynix半導(dǎo)體擁有全球DRAM芯片市場20%份額
- 關(guān)鍵字： 芯片 DRAM 存儲(chǔ) 存儲(chǔ)器
2008年：中國半導(dǎo)體市場增長趨緩
- 對于中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，2008年將是又一輪循環(huán)發(fā)展的新起點(diǎn)。這一年，既是中國的首個(gè)奧運(yùn)年，也是全球第一塊集成電路(IC)誕生50周年。感知事業(yè)冷暖，預(yù)言市場趨勢，雖有著諸多不確定的變數(shù)，但跟隨2007年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展腳步，仍是有跡可循。 國際市場將回暖? 2007年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)疲軟。 雖然2006年底和2007年初，國內(nèi)外各大業(yè)內(nèi)機(jī)構(gòu)對2007年全球半導(dǎo)體市場都有一個(gè)相對樂觀的預(yù)測，普遍認(rèn)為2007年度全球市場的增長率將在5%～10%之間，但根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(W
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 IC DRAM 半導(dǎo)體材料
DRAM制造商將減少內(nèi)存現(xiàn)貨供應(yīng) 力爭穩(wěn)定價(jià)格
- 【eNet硅谷動(dòng)力消息】12月29日消息，來自中國臺(tái)灣DRAM制造商的消息來源稱，由于DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下跌，DRAM制造商們打算縮減現(xiàn)貨市場的供應(yīng)數(shù)量，以便穩(wěn)定內(nèi)存市場的整體價(jià)格環(huán)境。此舉意在避免合約市場中DRAM價(jià)格的急劇下跌。 正如人們預(yù)期，DRAM合約價(jià)格一直在保持著下降趨勢。內(nèi)存交易機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，主流產(chǎn)品DDR2芯片合約價(jià)格持續(xù)下滑 10%。在12月下半月，512MB DDR2-667的收盤價(jià)格為0.88美元，而1GB芯片收盤價(jià)格是1.75美元。到12月2
- 關(guān)鍵字： DRAM
2008：巨型晶圓廠初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲(chǔ)器平均銷售價(jià)格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價(jià)格與合約價(jià)格不斷創(chuàng)下新低，價(jià)格壓力充斥著整個(gè)上一季度。由于價(jià)格走低，對于NAND閃存等存儲(chǔ)器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預(yù)測數(shù)字顯示出我們當(dāng)前正處在黎明前的黑暗階段，一個(gè)巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預(yù)測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。 大舉擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存 低價(jià)同時(shí)也推動(dòng)了需求的增長，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
Gartner：明年全球芯片設(shè)備支出將下降10%
- 市場研究公司Gartner周四發(fā)表聲明預(yù)計(jì)，由于電腦內(nèi)存制造商減少投資，明年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的規(guī)模將縮小近10%。Gartner預(yù)計(jì)，明年全球芯片設(shè)備支出將從今年的448億美元下降至403億美元左右。 由全球用于生產(chǎn)微芯片的產(chǎn)品制造商組成的行業(yè)協(xié)會(huì)國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)本月初預(yù)計(jì)，2008年全球芯片設(shè)備的支出為410.5億美元，不過該協(xié)會(huì)估計(jì)2007年的芯片設(shè)備支出為417億美元，認(rèn)為下降幅度小于上述的下降幅度。 Gartner分析師克勞斯在談到電腦中使用的DRAM(動(dòng)態(tài)
- 關(guān)鍵字： 芯片 半導(dǎo)體 DRAM IC 制造制程
Gartner調(diào)整2007年10大芯片廠商排名
- 市場調(diào)研公司Gartner的2007年10大芯片廠商排名略有不同。在該公司的排名榜中，預(yù)計(jì)英特爾(Intel)將再度稱雄全球芯片市場，其后依次是三星電子(Samsung)、德州儀器(TI)和意法半導(dǎo)體(ST)。 Gartner把英飛凌(Infineon)及其分拆出來的DRAM公司奇夢達(dá)(Qimonda)的銷售額算在一起。因此，按2007年全球銷售額計(jì)算，英飛凌排名第五。 在市場調(diào)研公司iSuppli最近公布的排名中，英飛凌排在第10，奇夢達(dá)位居第16，它沒有把這兩家公司的
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 英飛凌 DRAM 奇夢達(dá) IC 制造制程
三星大舉清庫存 臺(tái)DRAM廠頓感晴天霹靂
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期傳出三星電子(SamsungElectronics)拋出降價(jià)營銷策略，幾乎打出半買半送的口號(hào)，要在今年底前出清繪圖存儲(chǔ)器庫存。對于臺(tái)灣DRAM廠來說，無異晴天霹靂，三星此舉將可能導(dǎo)致臺(tái)廠的繪圖存儲(chǔ)器滯銷，令臺(tái)系DRAM廠毫無招架之力。 幾個(gè)月來，一些DRAM廠都在賠錢走貨，狀況低迷，原賴以生存的繪圖存儲(chǔ)器市場被三星的半買半送策略一攪，近期遭受如此重創(chuàng)，也算來了個(gè)措手不及。過去繪圖存儲(chǔ)器仍是高于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的毛利率，但現(xiàn)在恐怕又將出現(xiàn)虧損擴(kuò)大的現(xiàn)象了。 臺(tái)DRAM廠表示
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 三星 DRAM 晶圓 MCU和嵌入式微處理器
Gartner：2007年全球半導(dǎo)體收入將增長3%
- 市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner日前發(fā)布了2007年全球半導(dǎo)體市場收入預(yù)測報(bào)告。報(bào)告顯示，2007年全球半導(dǎo)體市場收入同比去年增長2.9%，達(dá)到2730億美元。而且銷售收入排名前十位的廠商當(dāng)中，兩家公司的收入增長保持兩位數(shù)增長，而另有兩家公司收入出現(xiàn)下滑。 Gartner負(fù)責(zé)市場調(diào)查業(yè)務(wù)的資深副總裁Andrew Norwood稱，“半導(dǎo)體廠商目前的經(jīng)營狀況，與終端客戶的聯(lián)系更加緊密起來，因?yàn)楫?dāng)前半導(dǎo)體業(yè)界與消費(fèi)者的支出模式有直接關(guān)系。” 英特爾2007年的芯片銷售收入增長幅度超過了半導(dǎo)體市場平均
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 半導(dǎo)體 芯片 DRAM
中芯國際今年仍盈利無望 赴內(nèi)地上市存障礙
- 中芯國際連年虧損，今年也不例外;該公司行政總裁張汝京表示，今年仍然可能無法實(shí)現(xiàn)盈利目標(biāo)，但對集團(tuán)整體展望仍是正面。 中芯第三季業(yè)績因DRAM價(jià)格走弱而虧損2,555萬美元，外電引述張汝京的話表示，若集團(tuán)的DRAM業(yè)務(wù)能夠達(dá)到收支平衡，全年才有望獲得盈利。 集團(tuán)早前預(yù)期今年DRAM業(yè)務(wù)將難有明顯改善。此外，張汝京表示，中芯仍計(jì)劃于內(nèi)地上市，但目前仍存有許多障礙。 集團(tuán)于上海的12英寸芯片生產(chǎn)線，昨日正式投產(chǎn)，初期投資4.5億美元，未來投資總額將增加至20億美元。張汝京表示，上海的生產(chǎn)線
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 中芯國際 DRAM 芯片 消費(fèi)電子
分割DRAM虧損部門 矽統(tǒng)裁員不裁錢
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，芯片大廠矽統(tǒng)也將步威盛步伐，進(jìn)行重整計(jì)劃，上月爆出消息，矽統(tǒng)將虧損關(guān)鍵DRAM模塊部門分割獨(dú)立為子公司昱聯(lián)科技外，近期傳出，矽統(tǒng)將大舉進(jìn)行裁員。矽統(tǒng)表示，由于DRAM跌價(jià)重創(chuàng)，前三季都大虧，為改善這一局面，矽統(tǒng)將進(jìn)行規(guī)模重整，調(diào)整營運(yùn)步伐，進(jìn)行有效裁員，期望至明年上半年慢慢回升績效，至明年下半年，可望營收回升，整體回暖。 威盛和矽統(tǒng)都曾是英特爾的勁敵，帶給英特爾極大的威脅，但由于一些技術(shù)上以及專利方面的原因，以及全球大氣候的影響，慢慢被強(qiáng)勁的對手比拼，聲勢日漸低落，即使全力一搏，
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM 芯片 矽統(tǒng) 模擬IC 電源
DRAM市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化 預(yù)計(jì)08年資本開支下滑超過30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報(bào)告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?！? 預(yù)計(jì)2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%，原來預(yù)計(jì)下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。 在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴(yán)重的供過于求情況。“這主要由于按容量計(jì)
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM 三星 NAND EDA IC設(shè)計(jì)
第三季度NAND閃存銷售額增長37%，達(dá)42億美元
- 市場調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷售額增長37%，達(dá)到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價(jià)格將下降18%。 韓國海力士半導(dǎo)體第三季度增長最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達(dá)到8.06億美元。它的市場份額是19%，在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 DRAM 存儲(chǔ)器
NEC電子開發(fā)出40納米DRAM混載系統(tǒng)LSI 混載工藝技術(shù)
- NEC電子近日完成了兩種線寬40納米的DRAM混載系統(tǒng)LSI工藝技術(shù)的開發(fā)，使用該工藝可以生產(chǎn)最大可集成256MbitDRAM的系統(tǒng)LSI。40nm工藝技術(shù)比新一代45nm半導(dǎo)體配線工藝更加微細(xì)，被稱為45nm的下一代產(chǎn)品。此次，NEC電子推出的工藝中，一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝，它可使邏輯部分的處理速度最快達(dá)到800MHz，同時(shí)保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝，它的功耗約為內(nèi)嵌同等容量SRAM的1/3左右。 UX8GD和 UX8LD 是在線寬從55nm縮小至40nm的
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NEC DRAM LSI
供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化
- 美國iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價(jià)格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。 NAND閃存方面，預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價(jià)格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價(jià)格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND DRAM 閃存 MCU和嵌入式微處理器
1α dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條1α dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對1α dram的理解，并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對1α dram的理解，并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
1α dram相關(guān)帖子
1α dram資料下載
1α dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473