1α dram 文章 進入1α dram技術(shù)社區(qū)
加注西安工廠 美光期待引領(lǐng)創(chuàng)芯長安
- 怎么證明企業(yè)對某個市場的未來充滿信心？頻繁來華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷售預(yù)期一邊減少研發(fā)團隊？或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現(xiàn)誠意，對中國市場最有信心的表示當(dāng)然是加大中國市場的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價值43億元人民幣的擴建工程正式破土動工，該項目是2020年以來國外半導(dǎo)體企業(yè)在國內(nèi)最大的工廠投資建設(shè)工程。據(jù)悉，這個項目除了加建新廠房，還會引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，例如移動DRAM、N
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好
- IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)
- 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局
- 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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美光內(nèi)存與存儲是實現(xiàn)數(shù)字孿生的理想之選
- 據(jù) IDC 預(yù)測，從 2021 年到 2027 年，作為數(shù)字孿生的新型物理資產(chǎn)和流程建模的數(shù)量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產(chǎn)行為中的關(guān)鍵要素數(shù)字化并非一種全新概念，但數(shù)字孿生技術(shù)從精確傳感到實時計算，再到將海量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)為深度洞察，從多方面進一步推動了設(shè)備和運營系統(tǒng)優(yōu)化，從而實現(xiàn)擴大規(guī)模并縮短產(chǎn)品上市時間。此外，啟用人工智能/機器學(xué)習(xí) (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產(chǎn)品缺陷，實現(xiàn)出色的整體設(shè)備效率 (OEE)。當(dāng)我們了解了上述需求的復(fù)雜性和面臨的挑戰(zhàn)，就能意識到內(nèi)存與存儲對于實現(xiàn)數(shù)字孿
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三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢
- 三星稱其已經(jīng)在美國硅谷開設(shè)了一個新的內(nèi)存研發(fā)（R&D）機構(gòu)，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機構(gòu)將在設(shè)備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設(shè)備解決方案部門首席技術(shù)官、半導(dǎo)體研發(fā)機構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導(dǎo)。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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存儲器廠憂DRAM漲勢受阻
- 韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉(zhuǎn)，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場擔(dān)心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產(chǎn)提價共識，恐不利后續(xù)DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價，包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等，股價跌幅逾2％，表現(xiàn)較大盤弱勢。惟業(yè)界人士認(rèn)為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預(yù)期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
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漲勢延續(xù)，預(yù)估2024年第一季DRAM合約價季漲幅13~18%
- TrendForce集邦咨詢表示，2024年第一季DRAM合約價季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。目前觀察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠認(rèn)為持續(xù)性減產(chǎn)仍有其必要，以維持存儲器產(chǎn)業(yè)的供需平衡。PC DRAM方面，由于DDR5訂單需求尚未被滿足，同時買方預(yù)期DDR4價格會持續(xù)上漲，帶動買方拉貨動能延續(xù)，然受到機種逐漸升級至DDR5影響，對DDR4的位元采購量不一定會擴大。不過，由于DDR4及DDR5的售價均尚未達到原廠目標(biāo)，加上買方仍可接受第一季續(xù)漲，故預(yù)估整體PC
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SSD九個季度以來首次上漲 廠商們要持續(xù)漲價：漲幅55%只是開始
- 1月1日消息，據(jù)供應(yīng)鏈最新消息稱，SSD產(chǎn)品九個季度以來首次上漲，而廠商擬2024年1-3月后持續(xù)要求漲價。數(shù)據(jù)顯示，2023年10-12月期間SSD代表性產(chǎn)品TLC 256GB批發(fā)價為每臺25.5美元左右、容量較大的512GB價格為每臺48.5美元，皆較前一季度（2023年7-9月）上漲9%，也都是九個季度以來（2021年7-9月以來）首度上漲。自2023下半年以來，存儲芯片價格一直在上漲。雖然DRAM價格上漲較為溫和，約20%，但NAND閃存價格在過去兩個月飆升了60%-70%。調(diào)研機構(gòu)TrendFo
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全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長
- 12月22日消息，據(jù)報道，Adroit Market Research預(yù)計，全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導(dǎo)體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復(fù)合年增長率高達11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導(dǎo)體器件價值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數(shù)字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
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集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設(shè)安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
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DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用
- 處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同，系統(tǒng)對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR 等，當(dāng)然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將 I/O 時鐘加倍了，主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
- 關(guān)鍵字： DRAM 封裝技術(shù) HBM
DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程
- 本文總結(jié)和更新了 DRAM 的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
- 關(guān)鍵字： DRAM
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