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1α dram 文章 進(jìn)入1α dram技術(shù)社區(qū)
三星投入DRAM 18nm制程研發(fā)
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開(kāi)發(fā)18奈米制程為其投資重點(diǎn)，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題，三星將運(yùn)用四重曝光顯影技術(shù) (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù)，以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 三 星于DRAM 18奈米制程將運(yùn)用自動(dòng)對(duì)位QPT(Self
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位
- 全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國(guó)三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場(chǎng)份額，甚至可能提高營(yíng)收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。 全球個(gè)人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機(jī)增長(zhǎng)放緩，讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬(wàn)。 高通曾表示，第三財(cái)季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)下降65%，這是其三年來(lái)的最差業(yè)績(jī)。 將于周四公布第一季財(cái)報(bào)的三星，也難免遇挫。市場(chǎng)廣泛預(yù)計(jì)三星芯片獲利將會(huì)下降，一些分析師預(yù)測(cè)1-
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
三星:10nm今年底量產(chǎn),DRAM資本支出料年減
- 三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示，拜韓圜相對(duì)于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營(yíng)益預(yù)估因而增加0.4兆韓圜，主要反映在零件事業(yè)盈余數(shù)據(jù)上。 三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜，半導(dǎo)體事業(yè)、顯示面板事業(yè)各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預(yù)算、但預(yù)估將略高于2015年水準(zhǔn)。 三星顯示面板事業(yè)今年的資本支出在OLED面板強(qiáng)勁需求帶動(dòng)下可望攀高。DRAM資本支出預(yù)計(jì)將依照市場(chǎng)供需變化彈性調(diào)整、目前初估將低于去年水準(zhǔn)。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
請(qǐng)注意，這14類IC今年會(huì)增長(zhǎng)迅速
- 市場(chǎng)研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預(yù)測(cè)報(bào)告發(fā)布更新，在該報(bào)告統(tǒng)計(jì)的33項(xiàng)主要IC產(chǎn)品類別中，有14項(xiàng)產(chǎn)品類別在今年的成長(zhǎng)率將超過(guò)2%，尤其是手機(jī)應(yīng)用處理器MPU與訊號(hào)轉(zhuǎn)換IC的成長(zhǎng)幅度居冠。 ICInsights的《2016McCleanReport》預(yù)測(cè)33項(xiàng)主要IC產(chǎn)品類別在2020年以前的市場(chǎng)成長(zhǎng)。如圖1列出33項(xiàng)主要的IC產(chǎn)品類別，分別以更新的2016年成長(zhǎng)率排名。ICInsights預(yù)測(cè)，今年將有14項(xiàng)產(chǎn)品類別的成長(zhǎng)幅度超過(guò)2%—
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不影響DRAM市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 公平會(huì)核準(zhǔn)美光購(gòu)并華亞科
- 公平交易委員會(huì)于2016年4月13日第1,275次委員會(huì)議決議，核準(zhǔn)美商美光(Micron)擬透過(guò)其子公司臺(tái)灣美光取得華亞科全部股權(quán)，向該會(huì)申報(bào)事業(yè)結(jié)合乙案，依公平交易法第13條第1項(xiàng)規(guī)定，不禁止其結(jié)合。 公平會(huì)表示，本案系屬公平法第10條第1項(xiàng)第2、5款之結(jié)合型態(tài)，又美商美光于相關(guān)市場(chǎng)之市占率達(dá)25%，符合公平法第11條第1項(xiàng)第2款規(guī)定之申報(bào)門(mén)檻，且無(wú)同法第12條所規(guī)定除外適用情形，故依法提出結(jié)合申報(bào)。 公平會(huì)表示，華亞科系屬美光DRAM的代工廠，其所生產(chǎn)之DRAM全數(shù)售予美光，故華亞科
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
三星DRAM連霸24年 2015年市占寫(xiě)下45%新高
- 三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市占率第一，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)下新歷史;2015年市占率達(dá)45.3%，營(yíng)收突破200億美元，不但刷新自身紀(jì)錄，也成為存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)下跌聲中，唯一還能獲利的業(yè)者。 據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料顯示，2015年三星DRAM營(yíng)收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長(zhǎng)9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營(yíng)收卻
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三星開(kāi)始量產(chǎn)10nm級(jí)DRAM，采用ArF液浸四重曝光
- 韓國(guó)三星電子2016年4月5日宣布，開(kāi)始量產(chǎn)采用10nm級(jí)工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。 此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(jí)(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開(kāi)發(fā)了自主設(shè)計(jì)的新存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲(chǔ)電容等。由此，無(wú)需使用EUV裝置，可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1
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DRAM市場(chǎng)上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?
- 目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存)市場(chǎng)主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國(guó)市調(diào)公司IHS指，韓國(guó)企業(yè)三星和SK海力士的市占率進(jìn)一步?jīng)_高至接近75%，這已經(jīng)是連續(xù)6個(gè)季度創(chuàng)下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢? 三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先 據(jù)DRAMeXchange的報(bào)告，受2015年四季度全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營(yíng)收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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三星2015年DRAM市場(chǎng)所向披靡 手機(jī)份額萎縮
- 三星電子周五公布2015業(yè)務(wù)成果報(bào)告，結(jié)果一則以喜，一則以憂，雖然其半導(dǎo)體事業(yè)蒸蒸日上，但另一個(gè)營(yíng)收主力，也就是手機(jī)部門(mén)表現(xiàn)仍持續(xù)掙扎。其實(shí)，三星去年以獲利為最高指導(dǎo)原則，營(yíng)運(yùn)的重心主要放在半導(dǎo)體上，有如此結(jié)果也不令人意外。 據(jù) 三星統(tǒng)計(jì)，在全球DRAM市場(chǎng)上，三星所向披靡、強(qiáng)取豪奪45.3%的份額，市占率較一年前的39.6%又進(jìn)步了5.7個(gè)百分點(diǎn)。三星指出盡管手機(jī)、平板 等行動(dòng)產(chǎn)品減緩，但預(yù)期服務(wù)器與其它高階產(chǎn)品市場(chǎng)將持續(xù)成長(zhǎng)。除此之外，三星也相當(dāng)看好物聯(lián)網(wǎng)與汽車對(duì)存儲(chǔ)器的需求展望。 在
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產(chǎn)品組合改善 美光下半年有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈
- 受來(lái)自PC部門(mén)需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價(jià)格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會(huì)計(jì)年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營(yíng)收僅達(dá)29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會(huì)計(jì)年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會(huì)計(jì)年度第1季營(yíng)收45.7億美元相對(duì)高點(diǎn)以來(lái)，單季營(yíng)收連續(xù)5季衰退。 在DRAM與NAND Flash的平均銷售單價(jià)季衰退幅度超過(guò)2位數(shù)百分點(diǎn)幅度，加上營(yíng)業(yè)費(fèi)用控制成效不佳，營(yíng)業(yè)
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
三星18納米DRAM投產(chǎn) 海力士、美光面臨更大壓力
- 三星電子(Samsung Electronics)開(kāi)始量產(chǎn)18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代，三星電子未來(lái)在DRAM市場(chǎng)上，勢(shì)必將更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。 根據(jù)韓媒ETnews報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的價(jià)格越來(lái)越低，越快將成本壓到比下滑的市場(chǎng)價(jià)格更低的話，才有利潤(rùn)能剩下，若降低成本的速度太慢，就會(huì)產(chǎn)生赤字。以目前看來(lái)，2016年美光最需擔(dān)憂的就是赤字問(wèn)題，因?yàn)槊拦鉀](méi)能成功地轉(zhuǎn)換微
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DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌 美光營(yíng)收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國(guó)兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國(guó)的美光公司這兩年就沒(méi)啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營(yíng)收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬(wàn)美元，對(duì)未來(lái)季度的預(yù)測(cè)同樣悲觀。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
美光恐連續(xù)兩季度虧損，毛利率只有19.7%
- 美國(guó)記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財(cái)報(bào)，每股凈損0.09美元，單季由盈轉(zhuǎn)虧，并預(yù)估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認(rèn)為，美光連二季虧損，與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營(yíng)運(yùn)將有壓力。 受到DRAM價(jià)格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營(yíng)收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現(xiàn)，僅19.7%，遠(yuǎn)不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬(wàn)美元，每股凈損0.09美元。 美光預(yù)期，本季恐持續(xù)虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
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