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          三星1000層NAND目標(biāo),靠它實(shí)現(xiàn)?

          • 三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實(shí)現(xiàn)目標(biāo),且可能是關(guān)鍵。目前,三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器,而據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術(shù),堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑,為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是,KAIST的
          • 關(guān)鍵字: 三星  1000層  NAND  
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          1000層介紹

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