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10nm 文章進入10nm 技術社區(qū)

SanDisk聯(lián)手東芝進軍10nm級別閃存工藝

　　2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別，2011年則將成為20nm級別普及的開端，同時10nm級別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開始。　　SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業(yè)費用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠上線投產，以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術投資?！? 　　
關鍵字： SanDisk 10nm 閃存

硅CMOS技術可擴展到10nm以下

　　“硅CMOS技術完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術等新構造、新材料和新工藝，硅CMOS技術將繼續(xù)保持其主導地位”。　　
關鍵字： CMOS 10nm

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10nm 介紹

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