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11納米
11納米 文章 進(jìn)入11納米技術(shù)社區(qū)
三星宣布11納米芯片新工藝：7納米也在路上了
- Intel雖然一再?gòu)?qiáng)調(diào)自己的xxnm工藝才是最精確的，比如同樣標(biāo)稱10nm，自己要比三星、臺(tái)積電的領(lǐng)先整整一代，但是沒(méi)辦法，人家的腳步要快得多。 今天，三星電子又宣布了新的11nm FinFET制造工藝“11LPP”(Low Power Plus)，并確認(rèn)未來(lái)7nm工藝將上EUV極紫外光刻。 三星11LPP工藝不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL(后端工藝)，可以大大縮小芯片面積，另一方面則沿用14nm LPP工藝的部分元素。
- 關(guān)鍵字： 三星 11納米
英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米
- 英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無(wú)掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。 Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。 在Nikon的年會(huì)上許多其它的專家似乎對(duì)于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機(jī)設(shè)計(jì)部總經(jīng)理Masato Hamatani認(rèn)為,當(dāng)EUV達(dá)到所有的預(yù)定目標(biāo)時(shí),進(jìn)入量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 11納米 EUV
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11納米介紹
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