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11nm
11nm 文章 進(jìn)入11nm技術(shù)社區(qū)
三星宣布將為中高端機(jī)型推出11nm芯片
- 本周一，三星宣布了全新的11nm LPP工藝，它將用于三星后續(xù)推出的中高端機(jī)型。三星在新聞公告中表示，11nm LLP的性能相比此前的14nm LLP提升了15%，單位面積的功耗降低了10%。 目前三星的14nm LLP芯片主要用于2017年版Galaxy A系列和J系列手機(jī)。三星表示，10nm用于旗艦手機(jī)，11nm用于中高端，形成差異化，預(yù)計(jì)2018年上半年在市場(chǎng)投放。與此同時(shí)，三星也成為了市場(chǎng)上最先確認(rèn)7nm的企業(yè)，其7nm LPP定于2018下半年開(kāi)始試產(chǎn)，采用EUV極紫外光刻技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 三星 11nm
Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)
- 在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì)上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，按這份驚人的計(jì)劃顯示，Intel計(jì)劃將 193nm波長(zhǎng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)，這表明他們?cè)俅魏笱恿似錁O紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。 Intel實(shí)驗(yàn)室中的EUV曝光設(shè)備 根據(jù)會(huì)上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
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