- 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化
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Qorvo 1200V SiC模塊 SiC
- 【2023 年 7 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本。 相比第一代產品，1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%，具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現了高頻運行，縮小了系統尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS(th)
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- 賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯 CEO Claus A.
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賽米控丹佛斯 羅姆 1200V IGBT 功率模塊
- 由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖，電力電子設備的能源效率已經變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
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