- 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。相比于生成工藝復雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費級和工業級開關功率應用。當然，相比SiC在高壓領域的出色表現，GaN在高壓的表現并不突出。因此，作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations（PI）創新地將GaN開關的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開關的應用填補了新的耐受電壓領域。 PI的PowiGaN已經在超過60個的市場應用中
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1250V PI PowiGaN GaN
- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN?開關技術。InnoSwitch?3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列的最新成員。它具有同步整流和FluxLink?安全隔離反饋功能，并且提供豐富的開關選項，包括725V硅開關、1700V碳化硅開關以及其它衍生出
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Power Integrations 1250V 氮化鎵 開關IC
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