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長江存儲128層QLC閃存首次公開亮相
- Q3季度閃存價(jià)格又要跌10%，今年6大原廠將會(huì)把重點(diǎn)轉(zhuǎn)向128層堆棧的3D閃存生產(chǎn)上來。國產(chǎn)的長江存儲也趕上來了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國電子信息博覽會(huì)首次亮相。長江存儲這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個(gè)自研量產(chǎn)的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構(gòu)，單位面積的存儲密度是同類產(chǎn)品中最大的。目前長江存儲的量產(chǎn)主力就是64層TLC閃存，已經(jīng)隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長江存儲展示的另一個(gè)重點(diǎn)是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
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中國剛突破128層QLC閃存 三星將首發(fā)160層閃存
- 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個(gè)世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒閑著,三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。對3D閃存來說,堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。不過每家的技術(shù)方案不同,東芝、西數(shù)的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術(shù)的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層
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128*64液晶簡單單片機(jī)代碼
- 控制芯片是常用的HD61202列驅(qū)動(dòng)，HD61203行驅(qū)動(dòng)一個(gè)漢字由16*16個(gè)像素點(diǎn)構(gòu)成。掃描順序上下，然后到第2列再上下，一次類推。顯示結(jié)果：參考
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128*64代碼進(jìn)化版顯示時(shí)，分，秒
- 顯示結(jié)果:芯片晶振110592includereg51h>defineucharunsignedchardefineuintunsignedintdefinedataportP0數(shù)據(jù)
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128*64 LCD顯示驅(qū)動(dòng)程序
- //頭文件部分#includereg52.h>//======================================================//定義常用符號，LCD控制字符號常量，TIME0定時(shí)...
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128*64液晶采用“單片機(jī)內(nèi)部顯示緩沖“的程序
- /***文件名稱：*摘要：讀寫lcd顯示緩沖區(qū)**當(dāng)前版本：v1.0*作者：laoliu2008*完成日期：2008年4月12日*/＃includepcb.h>＃include全...
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信號調(diào)理電路在測壓系統(tǒng)中的作用--INA128的內(nèi)部結(jié)
- INA128的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖5所示。 圖5 INA128的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖增益設(shè)定INA128的基本連接中用一個(gè)獨(dú)立的外部電阻RG可以獲得的放大倍數(shù)為：G=1+50kOmega;/RG。式中50kOmega;為INA128內(nèi)部的兩個(gè)放大器反饋電阻之和，它們都
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Atmel推出單芯片AES-128防盜器和遙控?zé)o匙門禁AVR微控制器
- 微控制器和觸控方案領(lǐng)導(dǎo)廠商愛特梅爾公司(Atmel Corporation)宣布推出全新單芯片AES-128防盜器和遙控?zé)o匙門禁AVR®微控制器，適合于汽車混合密匙應(yīng)用。此混合密匙應(yīng)用可為汽車制造商和消費(fèi)者提供一個(gè)非常渴望的易用、完全集成的方案。愛特梅爾的ATA5798主要面向大批量、單向 (uni-directional) 汽車密匙應(yīng)用，并同時(shí)集成有防盜器 (immobilizer) 和遙控?zé)o匙門禁功能。防盜器是一個(gè)安裝在汽車的電子設(shè)備，如果沒有正確的汽車密匙 (或其他代匙)，將無法啟動(dòng)引擎
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