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國(guó)產(chǎn)128層QLC閃存問(wèn)世武漢基地二期開(kāi)工

4年前的2016年，國(guó)家在武漢建設(shè)了國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開(kāi)工儀式上，紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開(kāi)工建設(shè)以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國(guó)表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開(kāi)工，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND
關(guān)鍵字：國(guó)產(chǎn) 128層 QLC 閃存

近日消息根據(jù)guru3D的報(bào)道，隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤(pán)TB內(nèi)存時(shí)代即將到來(lái)，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
關(guān)鍵字： SK 4D NAND 128層

SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計(jì)劃下半年開(kāi)始銷(xiāo)售。
關(guān)鍵字： SK海力士 4D NAND 128層

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