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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡(jiǎn)稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）“TPH9R00CQH”。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源，包括部署在數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備。3月31日開(kāi)始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導(dǎo)通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當(dāng)前U-MOSVIII-H工藝的15
- 關(guān)鍵字： 東芝 150V N溝道 功率MOSFET
ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達(dá)8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開(kāi)關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問(wèn)題。針對(duì)這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過(guò)采用自有的結(jié)構(gòu)，成功
- 關(guān)鍵字： ROHM 150V GaN HEMT
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