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          世界最小 東芝宣布15nm制程N(yùn)AND閃存

          •   東芝今天宣布世界上最小的嵌入式NAND快閃記憶體產(chǎn)品--15nm制程的NAND閃存芯片,這款新品符合最新的eMMC規(guī)范,可以廣泛運(yùn)用在消費(fèi)類數(shù)碼產(chǎn)品,包括智能手機(jī),平板電腦和可穿戴設(shè)備的設(shè)計(jì)上。今天開始就有16GB容量的樣片出貨,而8/32/64/128GB容量的芯片將在隨后發(fā)售。   15nm NAND制程帶來(lái)了比同類產(chǎn)品小26%的封裝尺寸,還帶來(lái)了基礎(chǔ)芯片性能的提升,從而讓讀性能快大約8%,寫速快20%。預(yù)計(jì)這種芯片將在2015年開始量產(chǎn),明年一季度開始鋪貨。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  15nm  

          東芝開始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

          •   半導(dǎo)體行業(yè)的閃存制造工藝進(jìn)步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲(chǔ)性能,同時(shí)也意味著SSD固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備價(jià)格的下降。過(guò)去幾年中SSD的降價(jià)幅度還是頗大的,目前最便宜的固態(tài)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器每GB的價(jià)格不到50美分,未來(lái)價(jià)格還將降得更低。東芝(Toshiba)當(dāng)前已經(jīng)開始量產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND,東芝表示這種128Gb(16GB)芯片已經(jīng)達(dá)到“全球最小級(jí)別的芯片尺寸”。   新型NAND閃存芯片的制造將由日本三重縣(Mie Prefecture)四日市業(yè)務(wù)部(Yokkaichi
          • 關(guān)鍵字: 東芝  15nm  

          CMOS技術(shù)將迎來(lái)轉(zhuǎn)折點(diǎn) 開始從15nm工藝向立體晶體管過(guò)渡

          •   邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計(jì)將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時(shí)迎來(lái)重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過(guò)渡。美國(guó)英特爾及臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后,估計(jì)也會(huì)對(duì)各公司的微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)帶來(lái)影響。   元件材料及曝光技術(shù)也會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折   “估計(jì)一多半的半導(dǎo)體廠商都會(huì)在15nm工藝時(shí)向FinFET過(guò)渡”(英特爾)?!霸?0nm以
          • 關(guān)鍵字: CMOS  15nm  立體晶體管  

          Global Foundries宣布2015年將在15nm制程節(jié)點(diǎn)正式啟用EUV光刻技術(shù)

          •   在最近召開的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會(huì)議上, Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節(jié)點(diǎn)開始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。 Global Foundries 公司負(fù)責(zé)制程技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁Greg Bartlett還表示,公司將在紐約Fab8工廠建成后馬上開始在這家工廠部署EUV光刻設(shè)備,按之前 Global Foundries公布的計(jì)劃,這個(gè)時(shí)間點(diǎn)大概是在2012年下半年,與之巧合的是,光刻設(shè)備廠商ASML公司也將于這個(gè)時(shí)間點(diǎn)開始上市EUV光刻設(shè)備。   由
          • 關(guān)鍵字: GlobalFoundries  15nm  光刻  

          Intel、IBM 22/15nm制程部分關(guān)鍵制造技術(shù)前瞻

          •   半導(dǎo)體特征尺寸正在向22/15nm的等級(jí)不斷縮小,傳統(tǒng)的平面型晶體管還能滿足要求嗎?有關(guān)這個(gè)問(wèn)題,業(yè)界已經(jīng)討論了很久?,F(xiàn)在,決定半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展方向的歷史拐點(diǎn)即將到來(lái),盡管IBM和Intel兩大陣營(yíng)在發(fā)展方式上會(huì)有各自不同的風(fēng)格和路線,但雙方均已表態(tài)稱在15nm級(jí)別制程啟用全耗盡型晶體管(FD:Fully Depleted)技術(shù)幾乎已成定局,同時(shí)他們也都已經(jīng)在認(rèn)真考慮下一步要不要將垂直型晶體管(即立體結(jié)構(gòu)晶體管)制造技術(shù)如三門晶體管,finFET等投入實(shí)用。        據(jù)In
          • 關(guān)鍵字: Intel  22nm  15nm  

          Intel 2013年第四季度轉(zhuǎn)向15nm制程技術(shù)?

          •   在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上,Intel曾提到會(huì)在2011年下半年開始使用22nm制程技術(shù),而其后的下一步目標(biāo)則將是15nm制程技術(shù)。而對(duì)手AMD的代工公司Globalfoundries則會(huì)在2012年啟用22nm制程技術(shù),兩年后的2014年他們計(jì)劃轉(zhuǎn)向15nm制程。盡管有 科學(xué)家聲稱15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段,有關(guān)的制造工具甚至都還沒有開發(fā)出來(lái),不過(guò)按照Intel“tick-tock”的進(jìn)程推算,預(yù)計(jì)Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會(huì)在2013年左右。
          • 關(guān)鍵字: Intel  15nm  22nm  制程技術(shù)  
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          15nm介紹

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