16納米文章進(jìn)入16納米技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積電、創(chuàng)意攜手16納米制程報(bào)佳音

　　晶圓代工大廠臺(tái)積電耕耘16納米FinFET(16FF) 制程技術(shù)有突破!與臺(tái)積電合作緊密的IP供應(yīng)商創(chuàng)意表示，DDR4 IP已采用臺(tái)積電16納米FinFET(16FF)制程技術(shù)，且通過晶片驗(yàn)證，成為創(chuàng)意第一個(gè)采用臺(tái)積電16納米FinFET制程技術(shù)生產(chǎn)的IP供應(yīng)商。　　創(chuàng)意日前已在2014年臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)(TSMC North America Technology Symposium)上接橥16納米DDR4 IP的研發(fā)成果，并讓此技術(shù)首度亮相。　　創(chuàng)意指出，16納米DDR4的PHY IP運(yùn)
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臺(tái)積電16納米猛催油三星14納米緊跟添柴火

臺(tái)積電推出升級(jí)版16納米FinFETPlus版本，對(duì)手三星電子同樣推出14納米升級(jí)版本LPP，兩家暗自較勁，強(qiáng)力鼓勵(lì)客戶導(dǎo)入新版制程，火藥味十足。
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TSMC和Synopsys攜手將定制設(shè)計(jì)擴(kuò)展到16納米節(jié)點(diǎn)

　　Laker定制設(shè)計(jì)解決方案已獲得TSMC 16-nm FinFET制程認(rèn)證并提供iPDK套件　　亮點(diǎn)：　　?Laker定制設(shè)計(jì)解決方案已經(jīng)通過TSMC 16-nm FinFET制程的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)第0.5版認(rèn)證　　?Laker支持TSMC 16-nm v0.5 iPDK的功能包括：復(fù)雜的FinFET橋接規(guī)則、雙重圖形曝光(double-pattern)、中間線端層(MEOL)和其他先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的要求　　?TSMC和Synopsys將繼續(xù)合作支持iPDK，以孵
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回?fù)魧?duì)手搶單臺(tái)積電三管齊下

　　臺(tái)積電出招回?fù)魧?duì)手搶單，法人強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電穩(wěn)固28納米重量級(jí)客戶，提升產(chǎn)能，加上20納米和16納米也加緊量產(chǎn)腳步，三管齊下穩(wěn)營(yíng)收、沖產(chǎn)能，將使對(duì)手難以招架。　　稍早市場(chǎng)就傳出臺(tái)積電對(duì)格羅方德、三星降價(jià)搶單一事很不以為然，并強(qiáng)調(diào)一定會(huì)有對(duì)策。臺(tái)積電更直指即使到今年第4季，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的28納米產(chǎn)能利用率都不會(huì)滿載，甚至28納米制程技術(shù)落后臺(tái)積電「實(shí)在太多」。　　臺(tái)積電向來不以價(jià)格戰(zhàn)做為取勝手段，但法人分析，臺(tái)積電第4季必須有所對(duì)策，若放任高通等轉(zhuǎn)單到格羅方德等，因格羅方德投片成本降低，不利聯(lián)發(fā)科、博通
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臺(tái)積電TSMC擴(kuò)大與Cadence在Virtuoso定制設(shè)計(jì)平臺(tái)的合作

　　臺(tái)積電創(chuàng)建和交付本質(zhì)為基于SKILL語(yǔ)言的設(shè)計(jì)套件(PDKs)，為客戶提供最佳的用戶體驗(yàn)和最高水準(zhǔn)的精確度。　　世界領(lǐng)先的晶圓代工廠部署Virtuoso平臺(tái)用于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的定制設(shè)計(jì)需要，涵蓋16納米FinFET設(shè)計(jì)。　　主要工具包括Virtuoso Schematic Editor、Analog Design Environment、Virtuoso LayoutSuite XL和先進(jìn)的GXL技術(shù)。　　為專注于解決先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的日益復(fù)雜性，全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司
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臺(tái)積電12寸產(chǎn)能 Q3追上對(duì)手

　　臺(tái)積電在先進(jìn)制程技術(shù)加緊腳步，擴(kuò)充產(chǎn)能不遺余力，中科Fab15廠房的28納米新一期廠房本月投產(chǎn)，負(fù)責(zé)20納米的南科Fab14第五、六期陸續(xù)裝機(jī)，第3季12寸月產(chǎn)能將突破40萬(wàn)片，與英特爾并駕齊驅(qū)。　　臺(tái)積電今年資本支出調(diào)高為95億至100億美元后，與英特爾、三星并列半導(dǎo)體資本支出百億美元俱樂部。看好移動(dòng)通信對(duì)高階制程的需求持熱，臺(tái)積28納米主力廠房中科Fab15新一期(P3與P4)產(chǎn)能本月投產(chǎn)，28納米年底月產(chǎn)能上看10萬(wàn)片，較去年底增一倍，今年28納米產(chǎn)能目標(biāo)較去年大增三倍。　　20納米預(yù)計(jì)
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臺(tái)積電、安謀合作納入Cortex A50系列

　　矽智財(cái)大廠英商安謀(ARM)及臺(tái)積電(2330)擴(kuò)大合作，安謀針對(duì)臺(tái)積電28納米HPM制程，推出以ARMv8指令集為架構(gòu)的Cortex-A57與Cortex-A53處理器優(yōu)化套件矽智財(cái)(POPIP)解決方案，并同時(shí)發(fā)布針對(duì)臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程技術(shù)的POPIP產(chǎn)品藍(lán)圖。　　處理器優(yōu)化套件(POP)技術(shù)是ARM全面實(shí)作策略中不可或缺的關(guān)鍵要素，能使ARM的合作伙伴得以突破功耗、性能與面積最佳化等限制，迅速地完成雙核與四核的實(shí)作。此外，這項(xiàng)技術(shù)還能協(xié)助以Cortex處理器為基
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臺(tái)積電16納米定案訂單跑不掉

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)與矽智財(cái)大廠英商安謀(ARM)2日共同宣布，完成首件采用臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程技術(shù)生產(chǎn)的ARMCortex-A57處理器產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape-out)。　　臺(tái)積電在16納米及FinFET技術(shù)進(jìn)度上明顯領(lǐng)先同業(yè)1年以上時(shí)間，現(xiàn)在又是首家完成64位元ARM架構(gòu)處理器設(shè)計(jì)定案的晶圓代工廠，業(yè)界認(rèn)為，采用ARMCortex-A57架構(gòu)及ARMv8指令集設(shè)計(jì)芯片的高通、輝達(dá)(NVIDIA)、邁威爾(Marvell)、蘋果等大廠訂單，可說已是勝券在握。
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臺(tái)灣研制出最新芯片筆記本重量可減至500克

　　12月17日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)研究人員和分析人士星期三稱，位于臺(tái)灣新竹北部的“國(guó)研院”納米元件實(shí)驗(yàn)室成功地在一個(gè)小型芯片中封裝了更多的晶體管。這是迄今為止在這樣小的芯片中放入的最多的晶體管。這種新的微型芯片將導(dǎo)致更輕、價(jià)格更便宜的筆記本電腦或者手機(jī)。　　這個(gè)實(shí)驗(yàn)室的負(fù)責(zé)人Yang Fu-liang對(duì)法新社說，采用這種技術(shù)，手機(jī)和筆記本電腦等電子設(shè)備將變得更小、更輕和更便宜。　　目前，筆記本電腦的重量很少低于1.5公斤(3.3磅)。但是，這種最新的芯片技術(shù)可能把筆記
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臺(tái)灣研出16納米SRAM技術(shù) 使電子設(shè)備更輕薄

　　臺(tái)灣科研機(jī)構(gòu)今天宣布,開發(fā)出全球第一個(gè)16納米的SRAM新組件,由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍,這可使未來電子設(shè)備更輕薄. 　　臺(tái)“國(guó)研院”成功開發(fā)出16納米SRAM新組件,主要是創(chuàng)新3項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),包括“納米噴印成像技術(shù)”、“320度低溫微波活化”及“N型鍺組件研究”;由于相較傳統(tǒng)微影光學(xué)成像技術(shù),不需使用到光阻及光罩,預(yù)估也可省下每套新臺(tái)幣2億元的光罩費(fèi)用. 　　該研究機(jī)構(gòu)上午舉行&ldquo
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