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16nm
16nm 文章 進(jìn)入16nm技術(shù)社區(qū)
聯(lián)發(fā)科的隱憂:高端智能機(jī)賣不動(dòng) 中低端熱銷
- TSMC臺(tái)積電昨天舉行法人說明會(huì),2016年Q1季度營(yíng)收2035億新臺(tái)幣,營(yíng)收下降了8.3%,并下調(diào)了全年預(yù)測(cè)。臺(tái)積電表示由于智能手機(jī)市場(chǎng)不如預(yù)期,16nm及20nm等先進(jìn)制程所占的營(yíng)收為23%,而28nm工藝熱銷程度并沒有減弱,全年利用率依然可維持在90%以上。在這背后是因?yàn)橹悄苁謾C(jī)市場(chǎng)上高端機(jī)賣不動(dòng),中低價(jià)手機(jī)熱銷,聯(lián)發(fā)科成為中低端智能手機(jī)處理器的最大贏家,恐怕又要流著淚數(shù)錢了。 28nm工藝已經(jīng)不是最先進(jìn)的制程工藝了,但它在TSMC的營(yíng)收比重中并沒有減少,今年也持續(xù)受寵,說明智能手機(jī)市場(chǎng)已
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臺(tái)積電16nm通吃蘋果/高通/聯(lián)發(fā)科芯片訂單 展現(xiàn)超強(qiáng)整合能力
- 臺(tái)積電先進(jìn)制程火力全開,本季除以16納米制程大舉投片蘋果A10處理器外,也針對(duì)聯(lián)發(fā)科和高通等手機(jī)芯片拓展中低階客戶,提供更具成本效能的16納米FFC制程,并導(dǎo)入臺(tái)積電籌備已久的整合型扇出型封裝(InFO)對(duì)外接單,展現(xiàn)從設(shè)計(jì)、制造到后段封裝超強(qiáng)的整合能力。 臺(tái)積電不對(duì)單一客戶置評(píng)。外資估算,臺(tái)積電今年為蘋果A10處理器出貨的12寸晶圓上看20萬片,營(yíng)收貢獻(xiàn)是去年的五倍,預(yù)估臺(tái)積電第3季合并營(yíng)收季增率可達(dá)15%,成長(zhǎng)動(dòng)能相當(dāng)強(qiáng)勁。 不過,由于206南臺(tái)強(qiáng)震后引發(fā)的晶圓產(chǎn)能卡位戰(zhàn)已告一段落,市
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臺(tái)積電16nm制程Q3投產(chǎn) 蘋果海思首發(fā)
- 隨著臺(tái)積電揭曉7月份營(yíng)收表現(xiàn),其中同時(shí)透露旗下16nm FinFET+制程技術(shù)將如期于今年第三季內(nèi)投入量產(chǎn),預(yù)期將用于代工量產(chǎn)華為旗下海思半導(dǎo)體新款Kirin 950處理器,同時(shí)也將協(xié)助量產(chǎn)蘋果A9處理器。 根據(jù)臺(tái)積電公布7月份營(yíng)收表現(xiàn),顯示整體營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣809.5億元,相比去年同期成長(zhǎng)24.7%,同時(shí)相比6月則成長(zhǎng)35%,創(chuàng)下臺(tái)積電有史以來第二高營(yíng) 收記錄。此外,臺(tái)積電也強(qiáng)調(diào)旗下16nm FinFET+制程技術(shù)將如期在今年第三季內(nèi)投入量產(chǎn),因此預(yù)期華為旗下海思半導(dǎo)體新款Kir
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臺(tái)積電明年第二季度量產(chǎn)16nm制造工藝
- 日前,臺(tái)積電聯(lián)席CEO魏哲家(音譯)透露,將于2015年第二季度或第三季度初量產(chǎn)16nm FinFET制造工藝,從而成為僅次于Intel 14nm的最先進(jìn)制造技術(shù)。據(jù)悉,尋求臺(tái)積電代工的客戶已經(jīng)超過60家,而蘋果的下一代移動(dòng)處理器A9就將采用這種工藝。臺(tái)積電另一位聯(lián)席CEO劉德音(音譯)爆料稱,該公司將于2015年完成10nm工藝的流片,2016年投入商業(yè)性量產(chǎn),目前已有10位客戶參加了10nm工藝的研發(fā)。 不過,考慮到臺(tái)積電在今年初才開始量產(chǎn)20nm工藝,如果上述計(jì)劃落實(shí),那么其將實(shí)現(xiàn)連續(xù)
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臺(tái)積電16nm制程大熱:海思量產(chǎn) 蘋果試投
- 臺(tái)積電最近助海思半導(dǎo)體(HiSilicon)成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片,設(shè)備廠透露,這項(xiàng)成就宣告臺(tái)積電16納米在面臨三星及英特爾進(jìn)逼下,已取得壓倒性勝利。 此外,臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn),目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾,屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾,將讓臺(tái)積電稱冠全球,并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。 臺(tái)積電16nm制程超越英特爾三星:幫海思量產(chǎn),讓蘋果試投 臺(tái)積電16nm制程超越英特爾三
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蘋果新款處理器Q4臺(tái)積電16nm制程試產(chǎn)
- 臺(tái)積電16奈米先進(jìn)制程布局計(jì)畫 晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)全力沖刺16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程,昨(25)日宣布與海思半導(dǎo)體(HiSilicon)合作,成功率先產(chǎn)出業(yè)界首顆以FinFET制程及ARM架構(gòu)為基礎(chǔ)且功能完備的網(wǎng)通處理器。業(yè)者分析,臺(tái)積電16奈米FinFET制程投產(chǎn)成功,可望提前一季度時(shí)間,在今年第4季進(jìn)入量產(chǎn)階段。 同時(shí)根據(jù)設(shè)備業(yè)者消息,臺(tái)積電16奈米FinFET Plus制程也進(jìn)入試投片(try run)先前作業(yè)階段,可望提前至第4季試產(chǎn),主要客戶除
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陸行之:臺(tái)積16nm制程 牽動(dòng)蘋果A9訂單
- 臺(tái)積電16奈米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)若提前1季、至明年第二季,除了拿下極具指標(biāo)意義的蘋果A9訂單機(jī)率大增外,預(yù)估明年將帶來15億美元營(yíng)收,且占第三季與第四季營(yíng)收比重將快速攀升、分別為5%與12%。 巴克萊資本證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之認(rèn)為,臺(tái)積電16奈米FinFET若提前量產(chǎn),將享「加乘效果」,因?yàn)?0與16奈米制程有95%的設(shè)備可以互相轉(zhuǎn)換,有助于16奈米良率的攀升,因此預(yù)計(jì)最快從明年第四季起就可透過16奈米取得市占率優(yōu)勢(shì)。 盡管臺(tái)積電昨天股價(jià)并未反應(yīng)這項(xiàng)傳聞,仍小跌0
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張忠謀:臺(tái)積電16nm產(chǎn)品線落后對(duì)手
- 最近諸多行業(yè)專家分析的結(jié)果是:2015年臺(tái)積電可能會(huì)失去部分16納米和14納米的市場(chǎng)份額。 據(jù)猜測(cè),臺(tái)積電很可能在2015年16和14納米競(jìng)爭(zhēng)中會(huì)失去很多訂單,根據(jù)該公司董事長(zhǎng)張忠謀透露臺(tái)積電16納米可能落后他們的對(duì)手了。而三星早就先行一步搶到了高通大部分訂單,而工藝更可靠。臺(tái)積電目前還在和蘋果單獨(dú)合作。雖然三星在高通那邊的訂單僅僅是手機(jī)SOC和基帶芯片,根本沒有什么GPU。 張忠謀還強(qiáng)調(diào),20納米和16納米在未來三年將成為最為主要的晶圓廠部分。而2014年第三季度中,20納米制程產(chǎn)品將在
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臺(tái)積電16nm年底試產(chǎn) 超大晶圓14廠貢獻(xiàn)比已36%
- 臺(tái)積電3日對(duì)媒體展示14廠區(qū)域規(guī)劃與新進(jìn)完整布局;臺(tái)積電發(fā)言人孫又文表示,臺(tái)積電16奈米年底試產(chǎn)進(jìn)度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,而超超大晶圓14廠去年貢獻(xiàn)比已36%,南科廠區(qū)全部貢獻(xiàn)占比則42%。據(jù)臺(tái)積電指出,14廠P1至4期的營(yíng)業(yè)額已在2012年占臺(tái)積電營(yíng)業(yè)額達(dá)到36%。而南科廠區(qū)全部貢獻(xiàn)占比42%。臺(tái)積電14廠P1至P4是4個(gè)足球場(chǎng)大面積;而外界關(guān)注未來臺(tái)積電20/16奈米產(chǎn)出后,14廠的營(yíng)收貢獻(xiàn)比重。 臺(tái)積電發(fā)言人孫又文回應(yīng)提問表示,臺(tái)積電16奈米是20奈米制程的延伸,20奈米明年第一季量產(chǎn),而16奈米
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臺(tái)積電16nm OIP 3套參考流程確立
- 臺(tái)積電宣布16奈米OIP3套全新參考設(shè)計(jì)流程確立。 臺(tái)積電17日宣布,在開放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)架構(gòu)下成功推出3套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程,協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET系統(tǒng)單晶片(SoC)與三維晶片堆疊封裝設(shè)計(jì);同時(shí)更可提供客戶即時(shí)靈活、創(chuàng)新、客制化的設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境進(jìn)而提升未來行動(dòng)與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能。 臺(tái)積電16奈米制程開發(fā)馬不停蹄,自今年4月與ARM共同宣布,完成首件采用16奈米FinFET制程ARMCortex-A57處理器設(shè)計(jì)定案能進(jìn)一步提升未來行動(dòng)與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能,包括高階電腦
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臺(tái)積電16nm OIP 3套參考流程確立
- 臺(tái)積電宣布16奈米OIP 3套全新參考設(shè)計(jì)流程確立。 臺(tái)積電17日宣布,在開放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)架構(gòu)下成功推出3套全新經(jīng)過矽晶驗(yàn)證的參考流程,協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)16FinFET系統(tǒng)單晶片(SoC)與三維晶片堆疊封裝設(shè)計(jì);同時(shí)更可提供客戶即時(shí)靈活、創(chuàng)新、客制化的設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境進(jìn)而提升未來行動(dòng)與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能。 臺(tái)積電16奈米制程開發(fā)馬不停蹄,自今年4月與ARM共同宣布,完成首件采用16奈米FinFET制程ARM Cortex-A57處理器設(shè)計(jì)定案能進(jìn)一步提升未來行動(dòng)與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能,包括高階
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緊追賽靈思16nm量產(chǎn)進(jìn)度 Altera明年投產(chǎn)14nm
- Altera的14奈米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)制程可望于明年啟動(dòng)量產(chǎn)。面對(duì)賽靈思(Xilinx)即將于2014年采用臺(tái)積電16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程,生產(chǎn)首批現(xiàn)場(chǎng)系統(tǒng)單晶片可編程閘陣列(SoC FPGA),Altera亦不干示弱,于日前宣布將于2013年底前提供14奈米的SoC FPGA測(cè)試晶片,預(yù)計(jì)于2014年正式投產(chǎn)14奈米SoC FPGA。 Altera資深產(chǎn)品行銷總監(jiān)Patrick Dorsey表示,Altera正借助更先進(jìn)奈米制程和
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16nm介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)16nm的理解,并與今后在此搜索16nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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