1700v 文章 進(jìn)入1700v技術(shù)社區(qū)
敢想敢做，PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC
- 1932年，研究人員在George Herbert Jones實(shí)驗(yàn)室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進(jìn)行反應(yīng)，成功合成了GaN材料。近一個(gè)世紀(jì)的時(shí)間里，氮化鎵逐漸引領(lǐng)著功率變換領(lǐng)域的新一輪變革。特別是Power Integrations公司近日推出的業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC——InnoMux?-2系列產(chǎn)品，不僅刷新了氮化鎵技術(shù)的耐壓紀(jì)錄，更是以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景，成為了電源管理領(lǐng)域的遙遙領(lǐng)先者。 氮化鎵逐漸成為王者 最佳開關(guān)電源技術(shù)覆蓋從十瓦至一兆瓦的廣泛
- 關(guān)鍵字： PI 氮化鎵 1700v 電源IC
1700V，200～300A IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)
- 標(biāo)簽：IGBT 電源0 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低
- 關(guān)鍵字： 保護(hù) 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) IGBT 300A 1700V
| 共2條 1/1 1 |
1700v介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條1700v!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)1700v的理解，并與今后在此搜索1700v的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)1700v的理解，并與今后在此搜索1700v的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473