- 韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據。
該機構調查了四家NAND閃存制造商。在被調查的四家廠商中，兩家位于韓國，其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設備，包括數字音樂播放器、數碼相機和手機。
根據三星電子和東芝的說法，今年8月，美國司法部也結束了這樣的調查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。
市場調查公司iSuppli的數據顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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海力士 NAND 閃存芯片
- 據業(yè)者透露，韓國廠商生產的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現有兩位元型產品，不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據消息來源透露，這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區(qū)的市場發(fā)售，不過目前部分銷往美國市場的產品已經由于產品質量不穩(wěn)定而遭到客戶的退貨。
據閃存控制芯片的廠商表示，三位元型MLC NAND閃存芯片技術目前還處在初級發(fā)展階段，由于可能存在一些兼容性等方面的問題，因此需要3個月的時間對這種新產品進行充分的測試。
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NAND 閃存芯片
- 根據市場調研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。
其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。
盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點轉移到了工藝升級上，產能上或受影響，很多下游廠商已經開始存貨為即
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閃存 NAND
- 經歷了09年初的低糜，IC產業(yè)正逐步從危機中復蘇，觀望其2010年的發(fā)展趨勢，可以說是機遇與挑戰(zhàn)并存。本文將對于2010年電子產業(yè)市場的有利與不利因素分別敍述，供業(yè)界探討與分析。
10大機遇
1. IC行業(yè)的季節(jié)性需求好于預期。FBR分析師Craig Berger說：“亞洲芯片分銷商的最新訂單顯示，第4季度芯片銷售將環(huán)比下降4到8個百分點，比起上個月我們調查得出的環(huán)比下降10個百分點情況更好，這是由11月份的工業(yè)、消費和智能手機芯片的強勁需求推動的的出貨量下降4%-8%，跌幅較
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Altera LED IC NAND
- 為中芯解開多年無法突破的經營困境，而與臺積電未來如能合作，將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺，為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。
11月11日，臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞：中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。
中芯將分5年賠償臺積電2億美元，并且無償授予臺積電8%的中芯股權，且臺積電另可在3年內以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權。
這件事情所以在臺灣
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中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節(jié)信 息。這樣，鎂光及其NAND技術的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術，甩開對手三星和東芝，重新回到領先全球NAND制作技術的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負責NAND業(yè)務的IM閃存技術公司。
除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
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鎂光 NAND 閃存
- 據華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現，將提升資本支出并擴張產能。
海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場已走出過去3年的谷底，前景相當穩(wěn)定。
隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術水平，及擴張目前的NAND
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Hynix 存儲器 NAND
- 沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產業(yè)后市看法相當樂觀，DRAM廠供貨呈現小幅吃緊狀態(tài)，目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當樂觀，原本外界預期12月合約價格會開始下跌，反應淡季效應，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現將優(yōu)于NAND Flash市場。
存儲器模塊廠一致看好2010
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南亞科 DRAM 存儲器 NAND
- 隨著薄型電視等產品需求呈現增長，東芝(Toshiba)等日本半導體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續(xù)進行生產，有別于去(2008)年年底動輒停工近20天的嚴峻局面。
報導指出，東芝旗下生產NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產線停工達13天，惟因今年春天以后智慧型手機訂單增加，故四日市工廠今年年底假期將持續(xù)進行生產不停工。
報導指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環(huán)保車的微控制器(MCU)
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Toshiba NAND MCU
- 據國外媒體報道，日本國內的半導體巨頭重新開啟了增產投資的大門。東芝公司一直生產手機等設備上使用的閃存，并在該領域排名全球第二，該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產能，增產程度約為4成。爾必達公司主要生產PC的內存，該公司計劃在2010財年向主要生產廠投資600億日元，將出貨量提高3成。
自今年夏天以來，全球半導體市場呈現堅挺的走勢，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復。全球經濟危機后，日本IT業(yè)大公司一改過去的謹慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資，以期待與韓國三星公司展開競爭。
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東芝 NAND
- 自2009年夏季起全球半導體市場需求回溫，日本半導體大廠增資動作亦轉趨積極。日本經濟新聞報導指出，東芝(Toshiba)將與美國業(yè)者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業(yè)，提高約4成產能;爾必達(Elpida)亦計劃在2010年度中，投資600億日圓于主力據點，以增加3成出貨量。
報導指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導入尖端設備，此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據悉，增設新生產線后，整廠生產規(guī)模將由26萬
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東芝 NAND
- 據國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產規(guī)模將擴大40%。
報道稱，東芝當前還計劃在2012年3月之前，為半導體產業(yè)投資總計5000億日元。市場調研公司iSuppli上周發(fā)布研究數據顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁，東芝表現最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。
iSuppli的報告稱，全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。
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東芝 NAND 閃存芯片
- 據臺灣媒體報道，近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理，張汝京等于找到了新舞臺。
臺灣媒體引述“內部人士”的話報道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面，但王寧國未有正面回應，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。
據報道，中芯在張汝京時代，曾與成都、武漢等兩地方政府達成協議，成都市政府出資成立成
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中芯國際 晶圓 NOR NAND
- 據國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數據顯示，第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁，東芝表現最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。
全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。
iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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東芝 NAND 閃存
- 東芝公司本周一發(fā)布了據稱為業(yè)內最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內建專用的控制器，并內含16個采用32nm制程技術制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。
這款內存模組產品裝備在便攜設備如iPod/智能手機等之上后，手機的存儲容量將實現倍增。比如采用單閃存模組設計的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設計的iPod touch的最大容量則可達到128GB。
東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
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東芝 NAND 嵌入式 閃存模組
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