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修改部分設(shè)計(jì)，三星第六代10納米級(jí)1cDRAM延后半年
- 韓國媒體MeyyToday報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器大廠三星將第六代10納米級(jí)1cDRAM制程開發(fā)延后六個(gè)月到6月才完成。 三星之前宣稱第六代10納米級(jí)1cDRAM制程2024年底開發(fā)完并量產(chǎn)，但良率沒有提升，導(dǎo)致時(shí)程再延后半年，這會(huì)使預(yù)定下半年量產(chǎn)的第六代高頻寬存儲(chǔ)器（HBM4）一并延后。報(bào)導(dǎo)引用市場(chǎng)人士說法，三星第六代10納米級(jí)1c DRAM制程遇到困難。 盡管市場(chǎng)在2024年底左右，獲得了三星送交的第一個(gè)測(cè)試芯片，但因?yàn)闊o法達(dá)到預(yù)期的良率，因此將預(yù)定開發(fā)完成的時(shí)間延后六個(gè)月。 而在這六個(gè)月中，三星
- 關(guān)鍵字： 三星 第六代 10納米 1cDRAM
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