- 韓國媒體MeyyToday報導，存儲器大廠三星將第六代10納米級1cDRAM制程開發(fā)延后六個月到6月才完成。
三星之前宣稱第六代10納米級1cDRAM制程2024年底開發(fā)完并量產，但良率沒有提升，導致時程再延后半年，這會使預定下半年量產的第六代高頻寬存儲器（HBM4）一并延后。報導引用市場人士說法，三星第六代10納米級1c DRAM制程遇到困難。
盡管市場在2024年底左右，獲得了三星送交的第一個測試芯片，但因為無法達到預期的良率，因此將預定開發(fā)完成的時間延后六個月。
而在這六個月中，三星
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三星 第六代 10納米 1cDRAM
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