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          EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET

          • 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
          • 關鍵字: EPC  1mΩ  導通電阻  GaN FET  
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          1mΩ介紹

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