EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
2納米
2納米 文章 進(jìn)入2納米技術(shù)社區(qū)
蘋(píng)果芯片再次邁向前進(jìn)，公司開(kāi)始開(kāi)發(fā)基于TSMC的2納米工藝的芯片，預(yù)計(jì)將于2025年推出。
- 隨著新款14英寸和16英寸MacBook Pro型號(hào)的推出，蘋(píng)果宣布了最新的M3芯片。公司計(jì)劃在下個(gè)月將新芯片引入iPad Pro和MacBook Air系列，相比當(dāng)前的M2芯片，新芯片將顯著更為強(qiáng)大。蘋(píng)果的M3芯片基于TSMC的3納米架構(gòu)，這意味著它的晶體管數(shù)量比M2芯片更多。這最終轉(zhuǎn)化為更好的性能和改進(jìn)的效率。盡管M3芯片還處于早期階段，但公司已經(jīng)開(kāi)始設(shè)計(jì)基于TSMC的2納米工藝的即將推出的芯片。蘋(píng)果已經(jīng)開(kāi)始開(kāi)發(fā)基于TSMC的2納米架構(gòu)的芯片。根據(jù)從LinkedIn上一位蘋(píng)果員工發(fā)現(xiàn)的最新信息（由ga
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果，2納米，芯片
臺(tái)積電（TSMC）2納米技術(shù)成本飆升或影響人工智能芯片新興市場(chǎng)
- 隨著2023年接近尾聲，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）正準(zhǔn)備看到其領(lǐng)先半導(dǎo)體制造工藝的成本增加。 TSMC目前量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是3納米半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，一份在臺(tái)灣媒體引述的最新報(bào)告猜測(cè)，未來(lái)3納米和2納米節(jié)點(diǎn)將會(huì)看到顯著的成本增加。這則新聞?wù)?023年度假季市場(chǎng)關(guān)閉之際，分析師報(bào)告稱(chēng)，這些潛在的成本增加可能會(huì)影響蘋(píng)果公司的高端和低端技術(shù)設(shè)備的利潤(rùn)。據(jù)分析師稱(chēng)，TSMC的2納米晶圓可能每片高達(dá)3萬(wàn)美元 今天的報(bào)告非常有趣，因?yàn)樗貜?fù)了2022年臺(tái)灣芯片制造商出售的3納米芯片的晶圓成本估算。3納米制造工藝是
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 材料，2納米
臺(tái)積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單
- 臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來(lái)勢(shì)洶洶，但臺(tái)積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢(shì)，尤其三星至今在3納米方面，依然無(wú)法取得頂尖客戶(hù)的信任，三星高層也坦言，一旦臺(tái)積電在2納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù)，三星還是得向臺(tái)積電看齊學(xué)習(xí)。即使如此，三星也打算透過(guò)低價(jià)策略搶市，與臺(tái)積電做出差別。綜合外媒報(bào)導(dǎo)，三星雖在3納米就開(kāi)始使用GAA技術(shù)，量產(chǎn)時(shí)間也比臺(tái)積電早數(shù)個(gè)月，但在良率與技術(shù)上無(wú)法獲得客戶(hù)青睞，蘋(píng)果、輝達(dá)等科技巨頭的大單仍在臺(tái)積電手上，臺(tái)積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱，希望能在2納米領(lǐng)域上扭
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2納米 三星 GAA
魏哲家：2納米技?jí)簩?duì)手18A
- 臺(tái)積電19日法說(shuō)會(huì)，市場(chǎng)關(guān)注前瞻技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。臺(tái)積電總裁魏哲家強(qiáng)調(diào)，2納米進(jìn)度樂(lè)觀(guān)，維持2025年進(jìn)入量產(chǎn)步調(diào)；3納米家族持續(xù)進(jìn)步，N3E通過(guò)認(rèn)證已達(dá)良率目標(biāo)。他更透露N3P經(jīng)內(nèi)部評(píng)估，整體功耗表現(xiàn)足以與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手18A（2納米以下制程）匹敵，甚至享有更好的技術(shù)成熟度與成本優(yōu)勢(shì)，因此可以肯定，2納米（with backside power rail）也將優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。魏哲家補(bǔ)充，HPC、智能型手機(jī)客戶(hù)對(duì)2納米抱持高度興趣，預(yù)計(jì)2025年上半年便能供貨給客戶(hù)，并于2026年進(jìn)入量產(chǎn)；他分析，AI需求著重提升能
- 關(guān)鍵字： 2納米 18A 臺(tái)積電
臺(tái)積電開(kāi)始為蘋(píng)果及英偉達(dá)試產(chǎn)2納米芯片
- 據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電不但已開(kāi)始開(kāi)發(fā)2納米制程，拉大了與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，而且最近也開(kāi)始準(zhǔn)備為Apple和NVIDIA開(kāi)始試產(chǎn)2納米產(chǎn)品。另外，為了進(jìn)一步開(kāi)發(fā)2納米制程技術(shù)，臺(tái)積電將派遣約1,000名研發(fā)人員前往目前正在建設(shè)中的Fab 20晶圓廠(chǎng)工作。外媒Patently apple報(bào)導(dǎo)指出，三星電子于2022年6月采用GAA技術(shù)開(kāi)始量產(chǎn)3納米制程芯片，比臺(tái)積電提前6個(gè)月，成為全球首家量產(chǎn)該制程技術(shù)的企業(yè)。而受到三星先發(fā)制人的沖擊，臺(tái)積電高層多次公開(kāi)2納米制程技術(shù)的發(fā)展計(jì)劃，形成先進(jìn)制程
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 蘋(píng)果 英偉達(dá) 2納米
不止2納米，Rapidus還計(jì)劃興建1nm制程芯片廠(chǎng)？
- 為重振日本半導(dǎo)體，由索尼集團(tuán)和NEC等8家科技大廠(chǎng)共同投資的合資企業(yè)Rapidus計(jì)劃到2025年在日本制造出尖端的2nm芯片。近日，Rapidus表示，不止2nm，還將向1nm進(jìn)軍。據(jù)日媒報(bào)道，近期在媒體圓桌會(huì)議中，Rapidus社長(zhǎng)小池淳義說(shuō)明了北海道千歲市新廠(chǎng)興建計(jì)劃和員工招聘情況。據(jù)悉，該千歲廠(chǎng)將興建2棟以上的廠(chǎng)房，且除了2nm之外，也將興建1nm制程芯片廠(chǎng)房。預(yù)計(jì)2027年開(kāi)始IIM 1(第1棟廠(chǎng)房)將生產(chǎn)2nm芯片，而IIM 2(第2棟廠(chǎng)房)將生產(chǎn)1nm產(chǎn)品。之后也考慮將廠(chǎng)房數(shù)擴(kuò)增至3-4
- 關(guān)鍵字： 2納米 Rapidus 1nm 芯片廠(chǎng)
2納米制程再接大單？傳超威Zen 6微架構(gòu)交由臺(tái)積電代工
- 處理器大廠(chǎng)超威（AMD）預(yù)計(jì)在2024年推出下一世代Zen 5處理器微架構(gòu)，今年第一季正式展開(kāi)全新Zen 6處理器（CPU）核心架構(gòu)開(kāi)發(fā)，根據(jù)在LinkedIn發(fā)布的職缺訊息，Zen 6將采用臺(tái)積電2納米制程，CPU推出時(shí)程預(yù)計(jì)落在2026年之后。不過(guò)，目前我們無(wú)法在超威官方產(chǎn)品藍(lán)圖找到Zen 6的身影，超威僅透露至Zen 5計(jì)劃，上一份藍(lán)圖可追溯到2022年6月，顯示超威預(yù)計(jì)將在2024年推出Zen 5，因此Zen 6可能要到2025年甚至更晚才能進(jìn)入零售市場(chǎng)。根據(jù)先前超威高端芯片設(shè)計(jì)工程師Md Zah
- 關(guān)鍵字： 2納米 超威 Zen 6 微架構(gòu) 臺(tái)積電
性能提高44%，三星計(jì)劃2納米制程加入背后供電技術(shù)
- 在與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)之路上，三星可謂頻繁出招。除了3納米導(dǎo)入全新GAAFET全環(huán)繞柵極電晶體架構(gòu)，已成功量產(chǎn)，照三星半導(dǎo)體藍(lán)圖分析，2025年大規(guī)模量產(chǎn)2納米，更先進(jìn)1.4納米預(yù)定2027年量產(chǎn)。韓國(guó)媒體The Elec報(bào)導(dǎo)，三星計(jì)劃使用背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù)用于2納米芯片。研究員Park Byung-jae在日前舉行的三星技術(shù)論壇SEDEX 2022介紹BSPDN細(xì)節(jié)。從過(guò)去高K金屬柵極技術(shù)到FinFET，接著邁向MBCFET，再到BSPDN，F(xiàn)inFET仍是半導(dǎo)體制程最主流技術(shù)，之前稱(chēng)為3
- 關(guān)鍵字： 三星 2納米 背后供電技術(shù)
臺(tái)積電要被拋棄了？美日連手研發(fā)2納米 背后原因曝光
- 全球芯片荒問(wèn)題難解，使得多項(xiàng)產(chǎn)業(yè)都面斷鏈危機(jī)，為了避免經(jīng)濟(jì)持續(xù)受到?jīng)_擊，各國(guó)紛紛尋求芯片自主，分散芯片制造過(guò)度依靠亞洲的風(fēng)險(xiǎn)。日媒今（3日）披露，日本與美國(guó)有意深化在先進(jìn)制程上的合作，并考慮合作生產(chǎn)2納米芯片為首要目標(biāo)，盼能減少對(duì)臺(tái)積電、三星等臺(tái)韓廠(chǎng)商的依賴(lài)。日經(jīng)亞洲評(píng)論報(bào)導(dǎo)，美國(guó)與日本政府已接近談妥生產(chǎn)2奈米芯片的合作，同時(shí)他們也在研究一個(gè)運(yùn)作模式，不只要防止技術(shù)泄漏更將大陸因素考慮在內(nèi)。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣萩田晃一已經(jīng)啟程訪(fǎng)問(wèn)美國(guó)，行程將會(huì)見(jiàn)美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多（Gina Raimondo）雙方交流的同時(shí)，
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2納米
臺(tái)積電憑什么敢說(shuō)5年能進(jìn)入2納米
- 科技部長(zhǎng)陳良基昨(9)日表示，半導(dǎo)體為產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力核心，臺(tái)積電10納米制程已進(jìn)入量產(chǎn)，2年后將進(jìn)入7納米，不到5年將進(jìn)入3納米、2納米，屆時(shí)將面臨物理極限，必須要透過(guò)基礎(chǔ)研究突破。 陳良基昨在行政院新首長(zhǎng)上任聯(lián)合記者會(huì)上表示，上任后將推動(dòng)3件工作，第一支援學(xué)術(shù)研究;第二提振與推動(dòng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，將相關(guān)技術(shù)透過(guò)研究轉(zhuǎn)化成產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品;第三建置國(guó)內(nèi)相關(guān)科技研究環(huán)境，支持及維運(yùn)科學(xué)園區(qū)發(fā)展。 他強(qiáng)調(diào)，負(fù)責(zé)科研獎(jiǎng)助的科技部并非冷門(mén)單位，他所提供的研究是與民眾未來(lái)切身相關(guān)的產(chǎn)品，例如目前手機(jī)上的虛擬實(shí)境與未
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 2納米
2納米時(shí)代 學(xué)界基礎(chǔ)研究助力突破物理極限
- 臺(tái)灣科技部長(zhǎng)陳良基今天表示，美國(guó)特斯拉總裁伊隆 馬斯克(Elon Musk)已對(duì)外表示，2030年將送人類(lèi)到火星，屆時(shí)每個(gè)人身邊都會(huì)有一個(gè)“比人聰明”的人工智能器材，2040年每個(gè)人身邊都會(huì)有一個(gè)機(jī)器人，這些科技創(chuàng)新都在美國(guó)硅谷，因此臺(tái)灣學(xué)界必須與硅谷連結(jié)，半導(dǎo)體作為產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力核心，未來(lái)幾年跨入3納米、2納米，將遭遇到物理極限，這些都必須靠學(xué)界基礎(chǔ)研究突破。 陳良基表示，他上任后將推動(dòng)三件工作，分別是支持學(xué)術(shù)研究、提振產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與建置科技研究環(huán)境，他強(qiáng)調(diào)，負(fù)責(zé)科研獎(jiǎng)助的
- 關(guān)鍵字： 2納米 人工智能
半導(dǎo)體五年內(nèi)進(jìn)入將2納米，臺(tái)灣欲靠基礎(chǔ)研究突破物理極限
- 臺(tái)灣科技部長(zhǎng)陳良基今天表示，美國(guó)特斯拉總裁伊隆?馬斯克(Elon Musk)已對(duì)外表示，2030年將送人類(lèi)到火星，屆時(shí)每個(gè)人身邊都會(huì)有一個(gè)“比人聰明”的人工智能器材，2040年每個(gè)人身邊都會(huì)有一個(gè)機(jī)器人，這些科技創(chuàng)新都在美國(guó)矽谷，因此臺(tái)灣學(xué)界必須與硅谷連結(jié)，半導(dǎo)體作為產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力核心，未來(lái)幾年跨入3納米、2納米，將遭遇到物理極限，這些都必須靠學(xué)界基礎(chǔ)研究突破。 陳良基表示，他上任后將推動(dòng)三件工作，分別是支持學(xué)術(shù)研究、提振產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與建置科技研究環(huán)境，他強(qiáng)調(diào)，負(fù)責(zé)科研獎(jiǎng)助的
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 2納米
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473