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20納米
20納米 文章 進(jìn)入20納米技術(shù)社區(qū)
20納米制程難轉(zhuǎn)換 DRAM次級(jí)品流竄市場(chǎng)
- DRAM芯片轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程難度高,市場(chǎng)供需失衡蔓延到各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。三星官網(wǎng)全球DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入20納米制程世代后,進(jìn)入門檻非常高。一方面是設(shè)備投資變大,需求的機(jī)臺(tái)設(shè)備多很多,甚至讓DRAM廠加蓋無塵室來放擺放機(jī)臺(tái)設(shè)備,否則導(dǎo)致產(chǎn)出數(shù)量大幅減少。而20納米制程的另一個(gè)高門檻就是生產(chǎn)難度大增,DRAM市場(chǎng)價(jià)格無法反彈,這些次級(jí)品(downgrade)的貨源大幅流竄是一大兇手。 市場(chǎng)終端需求不好,蘋果(Apple)下半年推出的新一代iPhone內(nèi)建存儲(chǔ)器容量從1G升級(jí)到2G,其他新機(jī)容量甚至提升到4
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SK海力士今年成長(zhǎng)三大核心 20納米、M14新廠、3D NAND
- 面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng),SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲(chǔ)器事業(yè)持續(xù)成長(zhǎng),2015年將面臨三大課題:成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構(gòu)利川M14新廠的量產(chǎn)系統(tǒng),以及強(qiáng)化三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競(jìng)爭(zhēng)力。 根據(jù)韓媒E-Daily報(bào)導(dǎo),SK海力士社長(zhǎng)樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會(huì)上表示,2015年下半初期將開始量產(chǎn)22納米DRAM,意即最快在7月SK海力士就會(huì)開始量產(chǎn)22納米DRAM。 SK海力士近2年業(yè)績(jī)屢創(chuàng)新高,主力產(chǎn)
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20納米轉(zhuǎn)換困難重重 4GB DDR4主流之路恐延后
- DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程困難重重,業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導(dǎo)入終端應(yīng)用的時(shí)間點(diǎn),會(huì)遞延至2016年第1季,象征4GbDDR4成為主流的時(shí)間點(diǎn)也會(huì)延后。然而美光旗下華亞科表示,目前20納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度一切都如預(yù)期,年底會(huì)有8萬片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程,資本支出不會(huì)改變。 日前傳出韓系存儲(chǔ)器廠25納米制程的產(chǎn)品未過PCOEM客戶認(rèn)證,導(dǎo)致部分貨源流入現(xiàn)貨市場(chǎng),這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后,產(chǎn)品認(rèn)證的嚴(yán)格度大幅攀升,未來20納米制程世代的問題更嚴(yán)重,轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程
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20納米轉(zhuǎn)換困難重重 4Gb DDR4主流之路恐延后
- DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程困難重重,業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導(dǎo)入終端應(yīng)用的時(shí)間點(diǎn),會(huì)遞延至2016年第1季,象征4Gb DDR4成為主流的時(shí)間點(diǎn)也會(huì)延后。然而美光旗下華亞科表示,目前20納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度一切都如預(yù)期,年底會(huì)有8萬片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程,資本支出不會(huì)改變。 日前傳出韓系存儲(chǔ)器廠25納米制程的產(chǎn)品未過PC OEM客戶認(rèn)證,導(dǎo)致部分貨源流入現(xiàn)貨市場(chǎng),這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后,產(chǎn)品認(rèn)證的嚴(yán)格度大幅攀升,未來20納米制程世代的問題更嚴(yán)重,轉(zhuǎn)進(jìn)20納米
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三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過半
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉(zhuǎn)換制程,2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中,將有5成以上采20納米技術(shù)生產(chǎn)。三星預(yù)計(jì)以差別化制程技術(shù),在伺服器和高階移動(dòng)裝置用次世代DRAM市場(chǎng)上拉開與其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距,維持市場(chǎng)獨(dú)大地位。 據(jù)韓國(guó)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),三星計(jì)劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。 外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近期資料指出,三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國(guó)業(yè)者表示,目前20納米
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臺(tái)積電運(yùn)勢(shì)漲不停 吃蘋果擁高通齊步跟進(jìn)聯(lián)發(fā)科
- 蘋果iPhone6將于美東時(shí)間9日正式發(fā)表,市場(chǎng)預(yù)期將熱賣,臺(tái)積電首度承接蘋果新一代處理器代工訂單,同步沾光。法人估,臺(tái)積電8月營(yíng)收將再創(chuàng)新高,9月持續(xù)看升,成為中秋節(jié)后帶領(lǐng)半導(dǎo)體族群上攻的領(lǐng)頭羊。 臺(tái)積電7月合并營(yíng)收已陸續(xù)反映蘋果新機(jī)拉貨熱潮,沖上649.25億元,創(chuàng)歷史新高。法人估,以臺(tái)積電先前法說會(huì)釋出本季合并營(yíng)收可望挑戰(zhàn)2,090億元估算,8月合并營(yíng)收將正式站上700億元,9月有機(jī)會(huì)達(dá)720億元,寫下營(yíng)運(yùn)新里程碑。 法人指出,臺(tái)積電本季除受惠蘋果新處理器正式出貨之外,蘋果新
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高通20納米制程進(jìn)度
- 高通(Qualcomm)已在2014年第2季提前宣布將采用最新的臺(tái)積電20奈米制程技術(shù),8核及4核64位元手機(jī)晶片解決方案將在2014年底前問世,并在2015年上半配合客戶導(dǎo)入量產(chǎn)。 高通指出,驍龍(Snpadragon)平臺(tái)旗下最高階的800系列手機(jī)晶片產(chǎn)品線將在2014年下半新推出代號(hào)810及808的處理器,其中,Snapdragon 810是采8核心64位元處理器,鎖定全球高階智慧型手機(jī)市場(chǎng);至于Snapdragon 808則采4核設(shè)計(jì),也同樣是64位元運(yùn)算,鎖定中、高階智慧型手機(jī)產(chǎn)品
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臺(tái)積今年?duì)I收確立逐季成長(zhǎng) 客戶排隊(duì)搶產(chǎn)能
- 臺(tái)積電(2330)17日召開法說會(huì),給出今年Q2營(yíng)收將會(huì)落在1800~1830億元之間(以臺(tái)幣兌美元30.1元計(jì)算),相當(dāng)于季增22%的樂觀財(cái)測(cè)預(yù)期。臺(tái)積共同執(zhí)行長(zhǎng)暨總經(jīng)理劉德音(附圖中)指出,臺(tái)積雖因上半年?duì)I收基期拉高,下半年成長(zhǎng)幅度會(huì)趨緩,不過Q3~Q4絕對(duì)都還是會(huì)維持「正成長(zhǎng)」,今年?duì)I運(yùn)逐季成長(zhǎng)格局確立。財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅則表示,目前臺(tái)積有很多客戶都在「排隊(duì)」,包括28/40奈米制程,甚至0.15/0.18微米的8寸廠訂單也相當(dāng)滿。 根據(jù)臺(tái)積預(yù)估,Q2營(yíng)收將會(huì)落在1800~1830億元之間(以臺(tái)
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蘋果轉(zhuǎn)單臺(tái)積電 美三星奧斯汀廠大減產(chǎn)
- 三星電子透露,將減少今年德州奧斯汀廠的處理器芯片生產(chǎn)與投資,理由是蘋果的需求不振和存貨增加。 韓國(guó)時(shí)報(bào)引述三星主管說法報(bào)導(dǎo),三星將削減該廠今年的投資25%至1兆韓元(9.27億美元),因?yàn)槲礌?zhēng)取到任何大訂單。蘋果正降低對(duì)三星制處理器依賴;處理器是手機(jī)和計(jì)算機(jī)重要元件。 三星奧斯汀廠雇用5,500名員工,每年?duì)I收15億美元。該廠2月產(chǎn)能利用率不到70%。該廠只生產(chǎn)處理器芯片。 要求匿名的三星關(guān)系企業(yè)主管說:「由于蘋果訂單不如預(yù)期,奧斯汀廠產(chǎn)能利用率不高?!沟撝鞴軓?qiáng)調(diào),三星
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三星電子量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3
- 作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè),三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。 三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī),克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制,開創(chuàng)了內(nèi)存存儲(chǔ)器制造技術(shù)的新紀(jì)元。NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管構(gòu)成,而DRAM則由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管串聯(lián)構(gòu)成,因此后者更難實(shí)現(xiàn)制程技術(shù)的微細(xì)化。然而,三星電子通過對(duì)芯片設(shè)計(jì)和制程技術(shù)的改良,創(chuàng)新性地研發(fā)出“改良版雙重照片曝光技術(shù)(Modified Dou
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20納米介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條20納米!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)20納米的理解,并與今后在此搜索20納米的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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