200910 文章 進入200910技術(shù)社區(qū)
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
- 關(guān)鍵字： 豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
DRAM：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動力
- 歷史發(fā)展 自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進了電子技術(shù)的前進，而且對各國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無可取代的巨大作用。 眾所周知，進入上世紀80年代，隨著大型計算機市場擴大，DRAM需求巨增。由于當時DRAM技術(shù)要求較低，其特點是量大面廣，勝負在于大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，而這正是日本公司的強項。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時代還落后于美國兩年，但在“官產(chǎn)學(xué)”舉國一致的努力下，
- 關(guān)鍵字： Intel DRAM VLSI LSI 200910
200910介紹
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