電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環境條件不太有利于發電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外，鋰離子電池技術成熟，因
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202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統
1 前言在本專欄的前面文章《從隱空間看AIGC 的未來發展》里，曾經提到了，今天全球AIGC 產業即將進入產業的革命性的轉折點，也逐漸浮現AI 模型容器( 集裝箱) 的身影。而AI 集裝箱將帶給碼頭( 隱空間) 一項美好的次序。一旦我們致力于制定AI 容器的規格，就會擁有主導未來AIGC 產業發展的話語權。于是，在本篇文章里，將繼續以實例詳細說明AI容器的設計和實踐技術。2 以Stable Diffusion為例首先觀察SD (Stable Diffusion) 的基本架構，如圖1。
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202310 容器 AI模型 PnP
前言談到計算機與GPU 的關系，就不得不提到IBM 公司在1981 年發布的世界上第一臺個人電腦IBM5150，該電腦配備了黑白顯示適配器和彩色圖形適配器，這是最早的圖形顯示控制器。在20 世紀80 年代初期，以GE 芯片為代表的圖形處理器開始出現，它具備四位向量的浮點運算功能，可以完成圖形渲染過程中的矩陣、裁剪、投影等運算，標志著計算機圖形學進入以圖形處理器為主導的階段。隨著GE 等圖形處理器功能的不斷完善，圖形處理功能也逐漸從CPU 向GPU（前身）轉移。隨著時間進入上世紀90 年代，如今GPU 的王
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202310 GPU市場
DPU（數據處理器，Data Processing Unit），是繼CPU和GPU之后的，數據中心第三顆主力芯片。DPU首次由美國公司Fungible 提出，DPU行業（數據處理單元）是指用于數據處理的各種芯片和處理器。其主要目標是優化和提升數據中心效能。DPU是由基礎網卡進化而來，是智能網卡發展的下一形態，DPU上游涉及如EDA設計軟件、IP 核、封裝測試、代工等環節，下游則主要對應數據中心/ 云計算、智能駕駛、數據通信、網絡安全等領域需求。由于算力提升與數據增幅呈現剪刀差，DPU可有效減少算力損耗。在
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202310 DPU市場 DPU
在半導體設計鏈中，IP 授權是其中重要一環，能夠大幅幫助芯片企業提升設計能力并縮短設計時間。芯片設計公司的不斷增加擴大了芯片IP 授權市場的規模和多樣性，為IP 供應商帶來了更多的增長機會，隨著越來越多的IC 設計公司涉足不同領域，如人工智能、物聯網、汽車電子等，對各種類型的芯片IP 的需求也在不斷增加。半導體是唯一一個將IP 授權發展成一個細分行業的工業領域，根據IPnest 在2023 年4 月最新發布的“設計IP 報告”，2022 年全球設計IP 市場收入達到了66.7 億美元，高于2021 年的5
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202310 芯耀輝 IP授權
引言如今，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為了實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率器件是提高其效率的關鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導體(上海)有限公司技術中心副總經理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產；2023 年3月，又確
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202310 羅姆 GaN
1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業模式運營的上市公司，這意味著在器件開發的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
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202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
1? ?SiC和GaN應用及優勢我們對汽車、工業、數據中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營成本?！? ?可再生能
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202310 SiC GaN 安世半導體
1 SiC和GaN的優勢相比傳統MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽能發電站和大型三相電網變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
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202310 納芯微 SiC GaN
1 SiC、GaN相比傳統方案的優勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
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202310 東芝 SiC GaN
ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業界最低的通態電阻，可以實現能效和功率密度更高的產品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
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202310 意法半導體 SiC GaN
1 SiC的應用優勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質因數（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統發展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優勢將更能體現。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業群先進電源
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202310 SiC 安森美
碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產業發展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優勢資源重點發展。
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?202310 碳化硅 SiC 襯底 8英寸 擴產
說起自動駕駛想必各位讀者都不陌生，大家是不是習慣性理解為“大腦+電機”就能組成一臺自動駕駛汽車呢？就在前兩天，恩智浦2023首席技術官媒體交流會上，恩智浦半導體執行副總裁兼首席技術官Lars Reger先生針對這一概念，向我們拋出一個問題：“如果你認為自動駕駛就是讓一臺普通汽車擁有大腦，那么你愿意讓ChatGPT幫你開車嗎？”很顯然，我們在座各位都不會同意這一方案，畢竟誰能放心完全把自己的性命交給人工智能手里呢？于是，Lars Reger向我們介紹了恩智浦對于自動駕駛領域的獨特見解，以及他們正在幫助世界實
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202310 恩智浦 自動駕駛 智能汽車 車身控制
?人才、資金和政策，是中國半導體從幼苗到參天大樹必不可少的三大必要條件。相比于動輒需要20年才能健全的人才培養體系和重視程度越來越高的政策面支持，資金是目前中國半導體產業變化最大且影響最明顯的外部因素。
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