202310 文章 進入202310技術社區(qū)
通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)
- 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外，鋰離子電池技術成熟，因
- 關鍵字： 202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統(tǒng)
如何設計容器來實踐AI模型的PnP
- 1 前言在本專欄的前面文章《從隱空間看AIGC 的未來發(fā)展》里，曾經(jīng)提到了，今天全球AIGC 產(chǎn)業(yè)即將進入產(chǎn)業(yè)的革命性的轉(zhuǎn)折點，也逐漸浮現(xiàn)AI 模型容器( 集裝箱) 的身影。而AI 集裝箱將帶給碼頭( 隱空間) 一項美好的次序。一旦我們致力于制定AI 容器的規(guī)格，就會擁有主導未來AIGC 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的話語權。于是，在本篇文章里，將繼續(xù)以實例詳細說明AI容器的設計和實踐技術。2 以Stable Diffusion為例首先觀察SD (Stable Diffusion) 的基本架構，如圖1。
- 關鍵字： 202310 容器 AI模型 PnP
DPU市場分析
- DPU（數(shù)據(jù)處理器，Data Processing Unit），是繼CPU和GPU之后的，數(shù)據(jù)中心第三顆主力芯片。DPU首次由美國公司Fungible 提出，DPU行業(yè)（數(shù)據(jù)處理單元）是指用于數(shù)據(jù)處理的各種芯片和處理器。其主要目標是優(yōu)化和提升數(shù)據(jù)中心效能。DPU是由基礎網(wǎng)卡進化而來，是智能網(wǎng)卡發(fā)展的下一形態(tài)，DPU上游涉及如EDA設計軟件、IP 核、封裝測試、代工等環(huán)節(jié)，下游則主要對應數(shù)據(jù)中心/ 云計算、智能駕駛、數(shù)據(jù)通信、網(wǎng)絡安全等領域需求。由于算力提升與數(shù)據(jù)增幅呈現(xiàn)剪刀差，DPU可有效減少算力損耗。在
- 關鍵字： 202310 DPU市場 DPU
芯耀輝:賦能數(shù)字時代,煥發(fā)中國芯片的耀眼光輝
- 在半導體設計鏈中，IP 授權是其中重要一環(huán)，能夠大幅幫助芯片企業(yè)提升設計能力并縮短設計時間。芯片設計公司的不斷增加擴大了芯片IP 授權市場的規(guī)模和多樣性，為IP 供應商帶來了更多的增長機會，隨著越來越多的IC 設計公司涉足不同領域，如人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等，對各種類型的芯片IP 的需求也在不斷增加。半導體是唯一一個將IP 授權發(fā)展成一個細分行業(yè)的工業(yè)領域，根據(jù)IPnest 在2023 年4 月最新發(fā)布的“設計IP 報告”，2022 年全球設計IP 市場收入達到了66.7 億美元，高于2021 年的5
- 關鍵字： 202310 芯耀輝 IP授權
羅姆GaN器件帶來顛覆性革命：體積減少99%,損耗降低55%
- 引言如今，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為了實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率器件是提高其效率的關鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導體(上海)有限公司技術中心副總經(jīng)理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產(chǎn)；2023 年3月，又確
- 關鍵字： 202310 羅姆 GaN
SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效
- 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業(yè)，致力于設計和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
- 關鍵字： 202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
SiC和GaN的技術應用挑戰(zhàn)
- 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
- 關鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN
東芝在SiC和GaN的技術產(chǎn)品創(chuàng)新
- 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據(jù)主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
- 關鍵字： 202310 東芝 SiC GaN
ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況
- ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
- 關鍵字： 202310 意法半導體 SiC GaN
攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進在汽車和工業(yè)中的應用
- 1 SiC的應用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅(qū)逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數(shù)得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現(xiàn)。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進電源
- 關鍵字： 202310 SiC 安森美
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