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          臺(tái)媒:臺(tái)積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)

          • 【TechWeb】7月13日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程,在2nm研發(fā)有重大突破,已成功找到路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around,簡(jiǎn)稱GAA)技術(shù)。臺(tái)積電臺(tái)媒稱,三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù),并宣稱要到2030年超過(guò)臺(tái)積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發(fā),并獲得技術(shù)重大突破,成功找到切入GAA路徑。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發(fā)工程師全心投入。臺(tái)積電3nm制程預(yù)計(jì)明年上半年在南科18廠
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  2nm制程  GAA技術(shù)  
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          2nm制程介紹

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