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瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程

　　DRAM報(bào)價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時(shí)，瑞晶的制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度仍是一馬當(dāng)先，原本預(yù)定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，日前目標(biāo)已提前達(dá)陣，但因母公司爾必達(dá)(Elpida)應(yīng)部分客戶需要40納米制程產(chǎn)品，因此保留2萬(wàn)片產(chǎn)能在40納米，在制程轉(zhuǎn)進(jìn)成功后，預(yù)計(jì)成本可進(jìn)一步下滑，雖然相較于目前DRAM報(bào)價(jià)仍是虧錢(qián)，但仍是臺(tái)廠中競(jìng)爭(zhēng)力最強(qiáng)的業(yè)者。　　瑞晶一向是臺(tái)系DRAM廠中制程轉(zhuǎn)換速度最快的業(yè)者，旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠領(lǐng)先在2011年轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程，日前又在30納米制程上搶
關(guān)鍵字：瑞晶 30納米

　　海力士半導(dǎo)體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示，公司將從明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片。　　這一表態(tài)證實(shí)了韓國(guó)網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報(bào)道。
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　　昨日，內(nèi)地最大集成電路制造商中芯國(guó)際，與東湖開(kāi)發(fā)區(qū)正式聯(lián)姻。中芯國(guó)際將注資45億美元，助光谷打造國(guó)內(nèi)最大高端芯片生產(chǎn)基地。　　中芯國(guó)際是內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。早在2006年，中芯國(guó)際就開(kāi)始　　
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際芯片 30納米

　　雖然在經(jīng)濟(jì)前景不明的情況下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響，不過(guò)全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計(jì)劃對(duì)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程持續(xù)加碼，以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(dá)(Elpida)等大廠競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)勢(shì)。　　
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　　據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周三報(bào)道，爾必達(dá)計(jì)劃在今年12月開(kāi)始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預(yù)計(jì)可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達(dá)即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。　　報(bào)道稱(chēng)呢個(gè)，爾必達(dá)已開(kāi)發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù)，能用現(xiàn)有的設(shè)備來(lái)達(dá)成更精細(xì)制程，而無(wú)需進(jìn)行大規(guī)模的資本投資。　　爾必達(dá)位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
關(guān)鍵字：爾必達(dá) DRAM 30納米

　　日刊工業(yè)新聞報(bào)導(dǎo)，由于擴(kuò)展應(yīng)用范圍及降低成本不易，爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃停止研發(fā)相位變化隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (PRAM)。　　爾必達(dá)監(jiān)于30納米技術(shù)已是DRAM產(chǎn)品細(xì)微化的技術(shù)極限，遂轉(zhuǎn)而研發(fā)PRAM，甚至已送樣容量為128MB的產(chǎn)品，然爾必達(dá)社長(zhǎng)本幸雄認(rèn)為PRAM成本很難降到比Flash低，且應(yīng)用范圍難以擴(kuò)大，故決定停止研發(fā)該產(chǎn)品。日后研發(fā)重心將轉(zhuǎn)至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術(shù)。　　爾必達(dá)于2009年內(nèi)已開(kāi)始量產(chǎn)40納米技術(shù)DRAM產(chǎn)品，緊接著將朝
關(guān)鍵字： Elpida 30納米 PRAM

　　電子行業(yè)報(bào)紙ETnews周五報(bào)導(dǎo)稱(chēng)，預(yù)計(jì)韓國(guó)三星電子下半年在一個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施上投資至少1萬(wàn)億韓元(合7.9億美元)。　　該報(bào)未指明消息來(lái)源稱(chēng)，三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。　　三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動(dòng)上稱(chēng)，三星預(yù)計(jì)下半年投資“略高于”上半年。　　該公司多次拒絕透露今年的資本投資計(jì)劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。　　ETnews報(bào)稱(chēng)，芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側(cè)重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
關(guān)鍵字：三星 DRAM 30納米 NAND

　　全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場(chǎng)信心，然存儲(chǔ)器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程N(yùn)AND Flash芯片日前打入蘋(píng)果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈，推測(cè)其增產(chǎn)系為蘋(píng)果供貨做準(zhǔn)備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應(yīng)戰(zhàn)，亦開(kāi)始準(zhǔn)備最新版35納米制程N(yùn)AND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對(duì)東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場(chǎng)
關(guān)鍵字：三星 NAND 30納米 43納米

　　據(jù)外電報(bào)道，NAND Flash(閃存)制造廠制程技術(shù)持續(xù)不斷推進(jìn)，集邦科技表示，各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程技術(shù)。　　根據(jù)美光預(yù)估，今年全球NAND Flash市場(chǎng)可望增長(zhǎng)至254億美元規(guī)模，除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲(chǔ)存驅(qū)動(dòng)器)、記憶卡等應(yīng)用外，也相當(dāng)看好移動(dòng)儲(chǔ)存市場(chǎng)的發(fā)展?jié)摿Α? 　　為降低生產(chǎn)成本，強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力，NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮，其中IM Flash陣營(yíng)已宣示，34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國(guó)三星電
關(guān)鍵字：閃存 NAND Flash 移動(dòng)儲(chǔ)存 30納米

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