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30nm
30nm 文章 進(jìn)入30nm技術(shù)社區(qū)
爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM
- 日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開(kāi)始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴(kuò)大至20%、2011年7～9月擴(kuò)大至30%。而瑞晶工廠則計(jì)劃在2011年7～9月導(dǎo)入30nmDRAM技術(shù)，2011年7～9月將比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。 爾必達(dá)從2010年9月開(kāi)始開(kāi)發(fā)30nmDRAM
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) 30nm DRAM
爾必達(dá)推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒
- 最近，內(nèi)存顆粒的工藝進(jìn)步速度非?？?，最先進(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過(guò)了處理器。在功耗與散熱方面也有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。 今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達(dá)也成功開(kāi)發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀(jì)錄。 據(jù)了解，爾必達(dá)這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實(shí)現(xiàn)1600MHz頻率。同時(shí)，其工作電流相比同廠40nm產(chǎn)品工作電流降低15%，待機(jī)電流下降10%。 爾必達(dá)聲稱(chēng)該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) DDR3 30nm
三星與東芝聯(lián)合 加快NAND Flash速度
- 三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個(gè)合作計(jì)劃，旨在制定新規(guī)范推動(dòng)NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來(lái)說(shuō)，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項(xiàng)技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開(kāi)發(fā)的ONFI接口進(jìn)行直接競(jìng)爭(zhēng)，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。 三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場(chǎng)70%的貨源，因此它們?cè)谛袠I(yè)內(nèi)具有相當(dāng)大的話(huà)語(yǔ)權(quán)，這對(duì)他們的新規(guī)范計(jì)劃將非常有利。 三星上個(gè)月
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 30nm
三星量產(chǎn)全球首款30nm級(jí)工藝2Gb DDR3內(nèi)存顆粒
- 三星電子今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級(jí)工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱(chēng)，這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計(jì)算和虛擬化等服務(wù)器應(yīng)用中電壓1.35V，頻率最高可達(dá)1866MHz，而在PC應(yīng)用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號(hào)稱(chēng)比DDR2內(nèi)存快3.5倍，相比于50nm級(jí)工藝的DDR3也要快1.55倍。 該顆粒屬于三星的綠色內(nèi)存系列，在服務(wù)器應(yīng)用中能比50nm級(jí)工藝產(chǎn)品節(jié)約最多20%的功耗，在多核心PC系統(tǒng)中30nm級(jí)工藝4GB DDR3內(nèi)存條
- 關(guān)鍵字： 三星電子 內(nèi)存 30nm
三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片
- 今年早些時(shí)候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開(kāi)發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下，加壓到1.5V之后數(shù)據(jù)傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺(tái)式機(jī)，筆記本，服務(wù)器，上網(wǎng)本，移動(dòng)設(shè)備的各種應(yīng)用。 三星表示目前他們正在開(kāi)發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，預(yù)計(jì)這款產(chǎn)品今年才會(huì)投入使用。
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三星發(fā)布全球首顆30nm級(jí)工藝DDR3內(nèi)存芯片
- 三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級(jí)別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過(guò)客戶(hù)認(rèn)證。注意這里說(shuō)的是30nm級(jí)別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說(shuō)有可能是38nm 之類(lèi)的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級(jí)別的。 三星這種30nm工藝級(jí)DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級(jí)可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱(chēng)為綠色內(nèi)存(Gree
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三星開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
- 三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類(lèi)似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱(chēng)，這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤(pán)等設(shè)備。 另外一款
- 關(guān)鍵字： 三星 30nm NAND
三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
- 三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類(lèi)似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱(chēng)，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤(pán)等設(shè)備。 另外一款三
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30nm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條30nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)30nm的理解，并與今后在此搜索30nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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