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          支持嵌入式計(jì)算的基于英特爾酷睿 i7、i5 和 i3 處理器的平臺(tái)

          • 產(chǎn)品概述基于 32 納米制程技術(shù)的英特爾reg;酷睿trade; i7、英特爾reg;酷睿trade; i5 和英特爾reg;酷睿trade; i3 處理器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 x86 架構(gòu),擁有智能性能、優(yōu)異能效、集成顯卡和糾錯(cuò)編碼 (ECC)內(nèi)存1 等
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          Global Foundries與IBM將共同生產(chǎn)32納米芯片

          •   根據(jù)EE Times報(bào)導(dǎo),Global Foundries在紐約州的Saratoga地區(qū)有1座12吋晶圓廠Fab 8,與IBM位在East Fishkill的工廠相距僅100多公里,方便就近合作。Global Foundries稱,F(xiàn)ab 8是美國(guó)境內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地,產(chǎn)能利用率達(dá)100%時(shí)每個(gè)月可制造出6萬(wàn)片晶圓,該工廠將專注于32納米、28納米和未來(lái)更先進(jìn)的制程。   Global Foundries執(zhí)行長(zhǎng)Ajit Manocha在公開聲明中指出,先前雙方已經(jīng)在新加坡與德國(guó)工廠,分別
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          戴維斯:英特爾六個(gè)月后推出32nm凌動(dòng)處理器

          •   4月12日消息,在北京舉行的2011英特爾信息技術(shù)峰會(huì)上,英特爾上網(wǎng)本和平板電腦 事業(yè)部總經(jīng)理道格·戴維斯接受采訪時(shí)表示:英特爾將在六個(gè)月后推出32納米/12個(gè)月后推 出22納米凌動(dòng)處理器。   在談到上網(wǎng)本的發(fā)展前景時(shí),戴維斯說(shuō):目前上網(wǎng)本固有的市場(chǎng)還是沒(méi)有變化,只是發(fā)展 速度略緩。另外平板電腦也對(duì)上網(wǎng)本也造成了不小的影響,調(diào)查顯示約有40%的消費(fèi)者表示,將會(huì)購(gòu)買一款平板電腦。   在談及到平板電腦系統(tǒng)和架構(gòu)發(fā)展問(wèn)題時(shí),戴維斯表示:目前平板電腦的系統(tǒng)應(yīng)該是多元化 的,相信以后針對(duì)平
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          AMD與外包工廠修改協(xié)議:只為正常芯片付款

          •   AMD與Globalfoundries修改協(xié)議,在今年最新一代的32納米芯片上,AMD將只為正常運(yùn)行的芯片付款。   對(duì)此AMD解釋說(shuō),供應(yīng)鏈協(xié)議的變更主要是為了防止產(chǎn)品生產(chǎn)延遲。   AMD代理CEO塞菲特(Thomas Seifert)說(shuō):“去年12月,32納米芯片生產(chǎn)面臨挑戰(zhàn),因此才開始討論修改協(xié)議。站在今天來(lái)看,它只是為了防止損失?!?/li>
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          Moorestown一半 手機(jī)Medfield平臺(tái)曝光

          •   大家還記得Intel聯(lián)手諾基亞發(fā)布的MeeGo系統(tǒng)嗎?當(dāng)初的用作演示的不是諾基亞手機(jī),而是搭載了Intel自家芯片組的開發(fā)測(cè)試機(jī)。不過(guò)當(dāng)時(shí)的芯片組代號(hào)為 Moorestown,就在我們都以為那就是x86架構(gòu)手機(jī)的最終形態(tài)的時(shí)候,Intel卻曝光了32納米的Medfield平臺(tái),更小的尺寸、更低的功 耗、更高的集成度,等等這些都決定了它才是真正的x86架構(gòu)智能手機(jī)芯片。   之前的 Moorestown芯片組所采用的,包含Atom Z600系列的處理器、代號(hào)Lincroft,代號(hào)Langwell的MP
          • 關(guān)鍵字: Intel  32納米  Moorestown  

          英特爾在2010年VLSI技術(shù)研討會(huì)上發(fā)布創(chuàng)新成果

          •   日前,在美國(guó)夏威夷舉行的2010年超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)(2010 Symposia on VLSI Technology and Circuits)上,英特爾發(fā)布了多篇重要技術(shù)研究論文,展示了英特爾在計(jì)算創(chuàng)新領(lǐng)域的不懈追求。   1. 可讀懂人腦電波的48內(nèi)核單芯片云計(jì)算機(jī)   想象一下,未來(lái)筆記本電腦的視覺(jué)功能可媲美人的眼睛,準(zhǔn)確地看到物體的運(yùn)動(dòng)!你可以在網(wǎng)上購(gòu)物時(shí)使用筆記本電腦的3D照相機(jī)和顯示器,并可看到一個(gè)自己的“鏡像”——也就是模擬你
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          東芝發(fā)布128GB閃存芯片

          •   東芝剛剛創(chuàng)造了移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的最高容量記錄,利用32納米制程制造出128GB的內(nèi)置閃存芯片,這種芯片僅有0.06英寸厚度,可以存儲(chǔ)16.6小時(shí)的1080p視頻,預(yù)計(jì)八月份量產(chǎn),九月份開始出貨,首批可能會(huì)供給蘋果制造iPhone和iPod,此外東芝自家筆記本產(chǎn)品也會(huì)配這種芯片。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  存儲(chǔ)芯片  32納米  128GB  

          東芝發(fā)布128GB閃存芯片

          •   東芝剛剛創(chuàng)造了移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的最高容量記錄,利用32納米制程制造出128GB的內(nèi)置閃存芯片。   這種芯片僅有 0.06英寸厚度,可以存儲(chǔ)16.6小時(shí)的1080p視頻,預(yù)計(jì)八月份量產(chǎn),九月份開始出貨,首批可能會(huì)供給蘋果制造iPhone和 iPod,此外東芝自家筆記本產(chǎn)品也會(huì)配這種芯片。
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          臺(tái)積電繞開英特爾工藝標(biāo)準(zhǔn)意在差異化競(jìng)爭(zhēng)力

          •   在半導(dǎo)體晶圓制造工藝度過(guò)60納米平臺(tái)后,世界最大的晶圓代工廠臺(tái)積電就選擇不再跟隨英特爾的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)此,臺(tái)積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、研發(fā)發(fā)展資深副經(jīng)歷蔣尚義認(rèn)為,半導(dǎo)體行業(yè)的每一個(gè)工藝制造都需要近十年的時(shí)間不斷優(yōu)化,而臺(tái)積電選擇比英特爾更快的研究更先進(jìn)的制造工藝,意在提高自己的長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力。   “我們現(xiàn)在最成熟的工藝是0.13微米,這已經(jīng)是10年前的技術(shù)了,但依然有得改進(jìn)。同理,如果我們第一步領(lǐng)先,就會(huì)在接下去的十年都領(lǐng)先。”蔣尚義昨日在北京向媒體表示。他此行的目的是在27日召開的20
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          英特爾將推32納米服務(wù)器芯片 性能提高15倍

          •   英特爾計(jì)劃明年為其8核Nehalem-EX服務(wù)器處理器推出后續(xù)產(chǎn)品。英特爾將把32納米制造技術(shù)引進(jìn)到它的高端服務(wù)器處理器生產(chǎn)中。   英特爾上周四在介紹產(chǎn)品路線圖最新情況的網(wǎng)絡(luò)會(huì)議上說(shuō),代號(hào)為Westmere- EX的芯片將補(bǔ)充英特爾在今年3月推出的32納米Westmere-EP至強(qiáng)5600處理器芯片。至強(qiáng)5600處理器旨在用于配置雙插座的工作站或者服務(wù) 器,而新的Westmere-EX處理器產(chǎn)品線將適用于配置兩個(gè)、四個(gè)或者更多插座的服務(wù)器。   英特爾在3月份發(fā)布了基于Nehalem-EX的至強(qiáng)
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          巴斯夫創(chuàng)造用于集成電路的先進(jìn)電鍍銅化學(xué)品

          •   巴斯夫創(chuàng)造出一種先進(jìn)的電鍍銅化學(xué)品,可滿足現(xiàn)今及未來(lái)芯片科技的需求。巴斯夫與IBM于2007年6月開始這一聯(lián)合開發(fā)項(xiàng)目,這項(xiàng)創(chuàng)新的化學(xué)品解決方案是其直接成果。這種解決方案的表現(xiàn)超越了市場(chǎng)上現(xiàn)有的其它化學(xué)品。   兩家公司正擴(kuò)展他們的合作計(jì)劃,以確定量產(chǎn)所需的參數(shù)。相關(guān)的技術(shù)、化學(xué)品和材料預(yù)計(jì)可于 2010年中期上市供應(yīng)。   巴斯夫全球電子材料業(yè)務(wù)部研發(fā)部門的資深經(jīng)理兼該項(xiàng)目負(fù)責(zé)人Dieter Mayer表示:“我們?yōu)檫@一創(chuàng)新的化學(xué)品感到興奮無(wú)比。巴斯夫與IBM團(tuán)隊(duì)選擇了一種新的方式,
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          全球代工進(jìn)入投資競(jìng)賽

          •   幾年之前代工廠宣布建新生產(chǎn)線是為了超過(guò)它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,而不是真正市場(chǎng)需求。   此種不計(jì)后果的思維,使得許多代工制造商即便在產(chǎn)業(yè)的下降時(shí)期也開建生產(chǎn)線,但是近年來(lái)代工己經(jīng)變得越來(lái)越保守,因?yàn)樗鼈兒ε庐a(chǎn)能過(guò)剩。   眼下許多代工廠的表現(xiàn)又好象回復(fù)到過(guò)去的戰(zhàn)術(shù),開始進(jìn)入新一輪的投資戰(zhàn)或者武器競(jìng)賽。這是巴克萊投資公司分析師 CJ Muse在新報(bào)告中的描述。   三個(gè)廠GlobalFoundries,Samsung及TSMC都準(zhǔn)備為了在新一輪上升周期中擴(kuò)大自已的市場(chǎng)份額, 而開始投資競(jìng)賽。此種趨勢(shì)顯然對(duì)于
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          英特爾:年底前25%桌面CPU將集成圖形芯片

          •   英特爾據(jù)說(shuō)已經(jīng)通知其客戶稱,到今年年底,英特爾處理器將有 25%集成圖形芯片。   我們說(shuō)的是配置45納米圖形芯片的32納米Clarkdale處理器。這意味著在2010年年底,英特爾每個(gè)處理器的內(nèi)核將比以前賺更多的錢,因?yàn)橛⑻貭柆F(xiàn)在要提供一個(gè)集成的圖形處理器。   這種趨勢(shì)將繼續(xù)下去,因?yàn)樵?011年第一季度,英特爾計(jì)劃推出Sandy Bridge處理器。這是配置整體集成的32納米圖形芯片的雙核和四核處理器。英特爾將來(lái)主要生產(chǎn)在處理器配置集成圖形處理器的芯片。這對(duì)英特爾來(lái)說(shuō)是一個(gè)好消息,因?yàn)檫@意味
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          下一代英特爾CULV處理器將采用32納米制程

          •   英特爾剛剛公布了第二代Consumer Ultra Low Voltage (CULV)平臺(tái)的一些消息,一款型號(hào)為Celeron U3400的設(shè)備剛剛浮出水面。   它將采用雙核Arrandale核心,32納米制程,運(yùn)行頻率1.06GHz,18W的TDP,主要面向筆記本,配合Calpella平臺(tái)運(yùn)作。   該組件將正和一個(gè)45nm的圖形單元,頻率在166-500MHz之間,處理器擁有2MB緩存,支持DDR3 800內(nèi)存,不包含Turbo加速功能。
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          Synopsys綜合和布局及布線生產(chǎn)效率提升兩倍

          •   Synopsys日前宣布,在其Galaxy設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)平臺(tái)中推出了最新的RTL綜合工具Design Compiler 2010,它將綜合和物理層實(shí)現(xiàn)流程增速了兩倍。Design Compiler自1988年問(wèn)世以來(lái),隨著工藝技術(shù)從1.5微米到32納米的進(jìn)步,而不斷得到調(diào)整升級(jí)。而今時(shí)序與面積布線的優(yōu)化已成為主要的挑戰(zhàn),最新版工具與時(shí)俱進(jìn),針對(duì)拓?fù)浼夹g(shù)進(jìn)行擴(kuò)展,為Synopsys布局布線解決方案IC Compiler提供“物理層指引”;將時(shí)序和面積的一致性提升至5%的同時(shí),還將IC
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          共70條 1/5 1 2 3 4 5 »

          32納米介紹

            32納米制程技術(shù)是英特爾已經(jīng)推出并即將大規(guī)模投入量產(chǎn)的新的處理器制造技術(shù),它是在已經(jīng)大獲成功的45納米制程技術(shù)的基礎(chǔ)之上,采用第二代高k+金屬柵極晶體管以及第四代應(yīng)變硅技術(shù),為下一代英特爾Nehalem微體系架構(gòu)的32納米版本-Westmere處理器的高性能表現(xiàn)奠定基礎(chǔ)。   目錄   1制程技術(shù)   2技術(shù)原理   ·第一點(diǎn)   ·第二點(diǎn)   ·第三點(diǎn)   3戰(zhàn)略藍(lán)圖   4 [ 查看詳細(xì) ]

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