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321層
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SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)全球最高的321層NAND閃存
- 2024年11月21日,SK海力士宣布,開(kāi)始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND閃存。SK海力士表示:“公司從2023年6月量產(chǎn)當(dāng)前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品,并供應(yīng)于市場(chǎng),此次又率先推出了超過(guò)300層的NAND閃存,突破了技術(shù)界限。計(jì)劃從明年上半年起向客戶提供321層產(chǎn)品,由此應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求。”公司在此次產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug*”工藝技術(shù),克服了堆疊局限。該技術(shù)分三次進(jìn)行通孔工藝流程,隨后經(jīng)
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321層介紹
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