32nm 文章 進(jìn)入32nm技術(shù)社區(qū)
特許半導(dǎo)體四季度上馬32nm工藝 明年轉(zhuǎn)入28nm
- 新加坡特許半導(dǎo)體計(jì)劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進(jìn)一步轉(zhuǎn)入28nm。 特許半導(dǎo)體很可能會在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運(yùn)行計(jì)劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。 特許的28nm工藝并非獨(dú)立研發(fā)，而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的，將會使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅(jiān)定支持者)。 特許半導(dǎo)體2009年技術(shù)論壇將在臺灣新竹市
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“芯”路歷程 45nm時(shí)代還能維持多久？
- 納米技術(shù)在芯片界中的發(fā)展速度相當(dāng)可觀，而對于目前企業(yè)級處理器發(fā)展領(lǐng)域中主要還是靠45nm獨(dú)當(dāng)一面，而隨著45nm工藝的日趨成熟，各個芯片廠商卻早已開始瞄向32nm工藝和22nm工藝。而按照工藝路線，接下來的處理器將指向32nm工藝。早在08年末的國際電子組件會議(IEDM)上，主要的會議切入點(diǎn)集中放在了32nm工藝之上，并且英特爾(Intel)公司在此次會議中，對32nm制程技術(shù)的細(xì)節(jié)進(jìn)行闡述，并計(jì)劃于2009年第四季投產(chǎn)，以推出更大能源效率、更高密度、效能更強(qiáng)的晶體管。 從最早的1965年英特
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ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動
- 意法半導(dǎo)體和法國電子信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室CEA-LETI宣布，法國經(jīng)濟(jì)、工業(yè)和就業(yè)部長，以及國家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項(xiàng)目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術(shù)開發(fā)協(xié)議。 Nano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國家/私營戰(zhàn)略研發(fā)項(xiàng)目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國國家、地區(qū)和本地政府的財(cái)政支持，旨
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32nm節(jié)點(diǎn)的PVD設(shè)備暗戰(zhàn)？
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的低谷擋不住技術(shù)前進(jìn)的腳步。近期兩大設(shè)備廠商Applied Materials和Novellus相繼推出了新型PVD機(jī)臺，目標(biāo)均鎖定為32nm及更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。 5月28日，設(shè)備巨頭Novellus宣布開發(fā)出HCM(中空陰極磁電管)PVD技術(shù)，稱為IONX XL。該機(jī)臺可滿足3Xnm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的薄阻擋層淀積，主要的服務(wù)對象為存儲器制造廠商。由于在3Xnm節(jié)點(diǎn)，存儲器的CD相比邏輯器件要小30%，存儲器的銅互連中將更多的采用高深寬比的結(jié)構(gòu)，這為阻擋層和晶籽層的臺階覆蓋性帶來了挑戰(zhàn)。
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Globalfoundries稱今年第四季度將開始32nm制程生產(chǎn)
- ?Globalfoundries公司計(jì)劃于09年第四季度開始正式32nm制程芯片的生產(chǎn)。該公司宣稱將從第四季度開始接受生產(chǎn)訂單，如果一切正常，那么2010年就可以按訂單要求生產(chǎn)出32nm制程芯片。 ? ? 顯然該公司的第一批客戶將是AMD的處理器和顯卡芯片，不過現(xiàn)在還很難說Globalfoundries能否比臺積電更早拿出基于32nm制程的方案，如果答案是“能”，那么屆時(shí)的業(yè)界恐怕又要激起一輪大波。 目前，該公司旗下只有一間Fab1工廠
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